[发明专利]具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备

权利要求书

1.具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，包括石英管、感应线圈和石墨坩埚，其特征在于，所述石墨坩埚包括碳化硅粉末加热区、生长腔室和籽晶托，所述碳化硅粉末加热区由第一盖板和石墨坩埚底部构成，所述碳化硅粉末加热区与所述生长腔室之间还设有第二盖板和第三盖板，所述碳化硅粉末加热区底部设有穿过碳化硅粉末的竖直气管，所述碳化硅粉末加热区与石墨坩埚内壁之间至少设有一条气体通道与所述竖直气管的底部相通，所述气体通道的上端与第一盖板及第二盖板之间的半密闭空间相连通；第一盖板和石墨坩埚底部构成半密闭空间，所述碳化硅粉末加热区在装填完碳化硅粉末后仍留有空间；所述竖直气管的顶部超过所述碳化硅粉末的上表面、且低于第一盖板下表面；所述第三盖板位于所述第二盖板的上方，所述第三盖板和第二盖板之间构成半密闭空间；所述竖直气管的底部设有与所述气体通道相通的进气口，所述竖直气管的下部1/3高度范围的外表面存在贯通的第一气孔，所述竖直气管超过碳化硅粉末上表面的上部外表面存在贯通的第二气孔，竖直气管第一气孔所在横截面内的气孔数量多于第二气孔所在横截面内的气孔数量；所述第一盖板表面设有均匀分布的第一微孔，所述第二盖板表面只在中心处设有均匀分布的第二微孔，所述第三盖板表面设有均匀分布的第三微孔。

2.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述第一盖板、第二盖板和第三盖板的直径依次增大。

3.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述石墨坩埚的内壁包括第一盖板固定块、第二盖板固定块和第三盖板固定块。

4.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，第三微孔的密度大于第一微孔的密度。

5.如权利要求1所述的具有生长气氛中碳硅比例调节功能的碳化硅单晶生长设备，其特征在于，所述第一盖板和第二盖板之间的间距不超过20 mm，所述第二盖板和第三盖板之间的间距不超过20 mm。