[发明专利]材料沉积系统以及相关方法和微电子装置在审
申请号: | 202110608421.2 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113755825A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | J·A·斯迈思;G·S·桑胡;S·C·潘迪;M·E·科乌通斯基 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/04;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/38;H01L21/033 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 材料 沉积 系统 以及 相关 方法 微电子 装置 | ||
1.一种材料沉积系统,其包括:
前体源,其经配置以含有呈液态和固态中的一或多者的至少一种含金属前体材料;以及
化学气相沉积设备,其与所述前体源选择性流体连通且包括:
壳体结构,其经配置和定位以接收包括所述至少一种含金属前体材料的至少一个馈送流体流;
分配歧管,其在所述壳体结构内且与信号发生器电连通;以及
衬底固持器,其在所述壳体结构内且与所述分配歧管间隔开,所述衬底固持器与额外信号发生器电连通。
2.根据权利要求1所述的材料沉积系统,其进一步包括在所述前体源下游且在所述化学气相沉积设备上游的电离装置,所述电离装置经配置以至少部分地电离所述至少一种含金属前体材料。
3.根据权利要求2所述的材料沉积系统,其进一步包括:
室清洁材料源,其经配置以含有至少一种室清洁材料;以及
额外电离装置,其在所述室清洁材料源下游且在所述化学气相沉积设备上游,所述额外电离装置经配置以至少部分地电离所述至少一种室清洁材料。
4.根据权利要求3所述的材料沉积系统,其中所述电离装置和所述额外电离装置在所述壳体结构的可密封盖上彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的材料沉积系统,其中所述前体源经配置以含有所述至少一种含金属前体材料的可流动固体形式,且定位在所述壳体结构的可密封盖上或上方。
6.根据权利要求1所述的材料沉积系统,其中所述前体源经配置以含有所述至少一种含金属前体材料的液体形式,且通过绝缘线与所述化学气相沉积设备选择性流体连通。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的材料沉积系统,其进一步包括经配置和定位以加热所述前体源的加热设备。
8.根据权利要求1到6中任一项所述的材料沉积系统,其进一步包括在所述化学气相沉积设备下游的流出流体处理设备,所述流出流体处理设备经配置以从离开所述化学气相沉积设备的所述壳体结构的至少一个流出流体流移除一或多种材料。
9.根据权利要求8所述的材料沉积系统,其进一步包括在所述化学气相沉积设备下游和所述流出流体处理设备上游的旁通设备。
10.根据权利要求1到6中任一项所述的材料沉积系统,其进一步包括与所述前体源选择性流体连通的载气源。
11.根据权利要求1到6中任一项所述的材料沉积系统,其中所述化学气相沉积设备进一步包括在所述分配歧管与所述衬底固持器之间且与另一信号发生器电连通的线圈结构。
12.一种形成微电子装置的方法,其包括:
将馈送流体流引导到含有基底结构的化学气相沉积设备中,所述馈送流体流包括呈液态和固态中的一或多者的至少一种含金属前体材料;
使用所述至少一种馈送流体流在所述化学气相沉积设备内形成等离子体;以及
使用所述等离子体在所述基底结构上形成含金属材料。
13.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括选择所述至少一种含金属前体材料以包括含钽前体材料、含铪前体材料、含锌前体材料、含钒前体材料、含铱前体材料、含锆前体材料、含钨前体材料、含铌前体材料和含钪前体材料中的一或多者。
14.根据权利要求12所述的方法,其进一步包括选择所述至少一种含金属前体材料以包括:
硼和碳中的一或多者;以及
钽、铪、锌、钒、铱、锆、钨、铌和钪中的一或多者。
15.根据权利要求12到14中任一项所述的方法,其进一步包括形成所述馈送流体流以包括悬浮于载气中的所述至少一种含金属前体的液滴和固体颗粒中的一或多者。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的