[发明专利]一种化学放大型负性UV光刻胶、制备方法及其使用方法

说明书

本发明涉及光刻胶技术领域，且公开了一种化学放大型负性UV光刻胶，按质量百分比，所述光刻胶包括以下组分：PHS树脂10‑20％；光致产酸剂0.3‑1.5％；交联剂0.2‑2.0％；流平剂0.01‑0.05％；溶剂余量。本发明中交联剂的添加量为0.55‑0.75％，驻波效应得到改善，交联剂的添加量为0.5％时驻波效应改善最明显，效果最好。本发明配方中交联剂的添加量，即保证得到图形的成膜强度，又减小了交联程度，更能减小显影液浸泡光刻胶侧面由过曝光和欠曝光带来的差异。

技术领域

本发明涉及光刻胶技术领域，具体为一种化学放大型负性UV光刻胶、制备方法及其使用方法。

背景技术

光刻胶曝光时，光线透过光刻胶照射在硅(Si)衬底上，在光刻胶和衬底的界面处，光线会被反射，这些反射光和入射光会形成干涉，使得光强沿胶深方向的分布不均匀，形成驻波效应。

驻波效应对深紫外光刻胶的影响更为显著，因为很多硅片表面(例如氧化层、氮化硅和多晶硅)在较短的深紫外波长反射更加厉害。曝光后，光刻胶侧面是由过曝光和欠曝光而形成条痕。

驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率。驻波效应破坏了光刻胶图形侧壁的垂直性，也导致了光刻胶线宽测量的不稳定，

消除驻波的方法有：调节PAB或PEB温度，增加树脂UV的吸收和控制酸扩散。如文献1(Standing wave reduction of positive and negative I-line resists，2005，Proc.of SPIE)中介绍通过PAB、PEB的温度调节来达到消除驻波的方法。文献2(Formulation and Molding of Dyed Positive I-line Resist for Control of theReflective Notching and CD Variation，1995，Proc.of SPIE)中介绍了Dye的UV吸收对比驻波的影响。美国专利US7632630B2中通过增加树脂的UV吸收来消除驻波。中国专利CN1965265B，通过增加高沸点溶剂，控制酸扩散对消除驻波的影响。但是上述文献或专利无法得到令人满意的性能。

为此我们提出了一种化学放大型负性UV光刻胶、制备方法及其使用方法。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足，本发明提供了一种化学放大型负性UV光刻胶、制备方法及其使用方法。

本发明提供如下技术方案：一种化学放大型负性UV光刻胶，按质量百分比，所述光刻胶包括以下组分：

PHS树脂10-20％；

光致产酸剂0.3-1.5％；

交联剂0.2-2.0％；

流平剂0.01-0.05％；

溶剂余量。

优选的，所述交联剂为四甲氧甲基甘脲和六甲氧甲基三聚氰胺中的一种或两种。

优选的，所述PHS树脂的分子量为6000-30000。

优选的，所述光致产酸剂包括N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸(PAG 1)、(4,8-二羟基-1-萘基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(PAG 2)、(4,7-二羟基-1-萘基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(PAG 3)、(4-甲氧基萘基)二苯基锍三氟甲磺酸盐(PAG 4)、(4-苯基硫代苯基)二苯基锍三氟甲磺酸盐(PAG 5)、2-(苯并[d][1,3]二氧戊环-5-基)-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪(PAG 6)、2-(2,4-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪(PAG 7)、2-[4-(4-甲氧基苯基)苯基]-4,6-双(三氯甲基)-1,3,5-三嗪(PAG 8)，结构如下：