[发明专利]三维存储器件中的阶梯结构及用于形成其的方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

存储阵列结构；以及

阶梯结构，其在所述存储阵列结构的中间，并且沿横向方向将所述存储阵列结构划分成第一存储阵列结构和第二存储阵列结构，所述阶梯结构包括：(i)沿所述横向方向延伸的多个台阶；以及(ii)与所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构接触的桥接结构，

其中，所述多个台阶中的台阶包括：在所述台阶的顶表面上并与所述桥接结构接触且电连接到所述桥接结构的导体部分，以及与所述导体部分在同一层级处且与所述导体部分接触的电介质部分，所述台阶通过所述桥接结构电连接到所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构中的至少一个，

其中，所述导体部分沿着所述横向方向在靠近所述桥接结构处进一步延伸到与所述台阶紧邻的上部台阶的下部并与所述电介质部分相接触。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述导体部分包括沿纵向方向与所述上部台阶重叠的第一导体部分，其中，所述纵向方向与所述横向方向和垂直于所述横向方向的第二横向方向相垂直。

3.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述导体部分还包括沿所述纵向方向与所述台阶紧邻的下部台阶重叠的第二导体部分。

4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中，所述导体部分还包括与所述台阶紧邻的台阶非重叠的第三导体部分。

5.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中，所述第一导体部分和所述第二导体部分在所述第二横向方向上具有直角三角形形状。

6.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述第三导体部分在所述横向方向上具有直角梯形形状。

7.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述台阶位于一个或多个电介质对上方。

8.根据权利要求1-7中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述台阶还包括：

在所述导体部分和所述电介质部分之下的电介质层。

9.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述导体部分和所述电介质层均在所述一个或多个电介质对上方。

10.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，沿着所述横向方向，所述第三导体部分的宽度小于或等于所述台阶的尺寸。

11.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，沿着垂直于所述横向方向的第二横向方向，所述导体部分的长度小于或等于所述台阶的第二尺寸。

12.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，

所述导体部分的厚度沿纵向方向小于或等于所述电介质部分的厚度，其中，所述纵向方向与所述横向方向和垂直于所述横向方向的第二横向方向相垂直。

13.根据权利要求8所述的3D存储器件，其中：

所述导体部分包括钨、钴、铜、铝、硅化物和多晶硅中的至少一种；

所述电介质部分包括氮化硅；以及

所述电介质层包括氧化硅。

14.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中：

所述桥接结构包括交错的多个导体层，每个导体层与所述第一存储阵列结构和所述第二存储阵列结构接触；以及

所述导体部分与在同一层级处的相应导体层接触并电连接到所述相应导体层。

15.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述一个或多个电介质对中的每个电介质对包括与所述台阶紧邻的下部台阶相对应的电介质部分和电介质层。