[发明专利]一种基于矩形环孔洞的多fano共振超表面折射率传感器在审
| 申请号： | 202110609225.7 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113358601A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 余世林;宋少哲;高子昂;赵同刚;余建国 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N21/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 矩形 环孔 fano 共振 表面 折射率 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于矩形环孔洞的多fano共振超表面折射率传感器，其特征在于，所述光学折射率传感器主要由介质基底和超表面微结构单元阵列组成，其中介质超表面结构单元阵列由若干个微结构单元组成并在每个介质超表面微单元中心对称刻蚀一个矩形环孔洞连接短接矩形孔洞，矩形环内方形边长为R，孔洞宽度为w，短接矩形长为L，宽为w，超表面结构厚度为t。
2.根据权利要求1所述的一种基于矩形环孔洞的多fano共振超表面折射率传感器，其特征在于，所述介质基底材料为二氧化硅，介质超表面结构材料为单晶硅、多晶硅或二氧化钛中的一种。
3.根据权利要求1-2所述的一种基于矩形环孔洞的多fano共振超表面折射率传感器，其特征在于，矩形环孔洞连接短接矩形孔洞中填充待测介质，所述待测介质折射率为n。
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