[发明专利]一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种钝化层的测量方法，应用于制备太阳电池，所述钝化层包括叠置的多个钝化膜，其特征在于，所述测量方法包括：

提供测试样片，所述测试样片具有：作为第一基底的硅基底、形成于所述第一基底上的作为钝化层且厚度小于200纳米的来自于晶硅太阳能电池的钝化结构，所述钝化结构包括依次叠置于所述基底的氮氧化硅钝化膜、氧化硅钝化膜以及氮化硅钝化膜，且所述氮化硅钝化膜的表面为空气层；

确定所述钝化层的期望获得的目标参数；所述期望获得的目标参数包括膜厚和折射率；

根据所述钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数，其中所述简化测试模型包括：第二基底和形成于所述第二基底上的氮化硅膜，且该氮化硅膜的表面为空气层；

利用所述第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对所述测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于所述目标参数的第一测量结果参数；其中，所述第一条件参数为所述膜厚的测试下限、所述膜厚的控制下限、所述膜厚的目标值、所述膜厚的控制上限、所述膜厚的测试上限、所述折射率的测试下限、所述折射率的控制下限、所述折射率的目标值、所述折射率的控制上限和所述折射率的测试上限。

2.根据权利要求1所述的钝化层的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：验证步骤；

所述验证步骤包括：

根据所述钝化层的实际测试模型结构，确定测量所需的第二条件参数；

利用所述第二条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对所述测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于所述目标参数的第二测量结果参数；

将所述第一测量结果参数，与所述第二测量结果参数进行比对，以修正所述第一条件参数。

3.根据权利要求1所述的钝化层的测量方法，其特征在于，

当所述晶硅太阳电池为PERC电池时，所述第二基底为：硅基底或者，由硅层及其表面的氧化铝层所构成的硅氧化铝基底。

4.根据权利要求3所述的钝化层的测量方法，其特征在于，当所述晶硅太阳电池为单面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅和氧化铝构成的复合基底，所述第一条件参数如下表1；

；

或者，当所述晶硅太阳电池为单面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅基底，所述第一条件参数如下表2；

；

或者，当所述晶硅太阳电池为单面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅基底，所述第一条件参数如下表3；

其中，X的取值为2.0至2.1；

或者，当所述晶硅太阳电池为双面PERC电池且所述钝化层位于其背面时，所述第二基底为：硅基底，所述第一条件参数如下表4；

。

5.根据权利要求4所述的钝化层的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：验证步骤；

所述验证步骤包括：

根据所述钝化层，确定测量所需的第二条件参数；

利用所述第二条件参数，通过椭圆偏振光法在椭圆偏振光谱仪上对所述钝化层进行检测，以获得对应于所述目标参数的第二测量结果参数；

所述目标参数包括膜厚和折射率，并且所述第二条件参数如以下表5所示；

6.根据权利要求1所述的钝化层的测量方法，其特征在于，在所述提供测试样片的步骤中：测试样片有同批次的多个；

利用所述第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对所述测试样片的钝化层进行检测的步骤中：分别将每个测试样片的钝化层的不同部位进行检测。

7.根据权利要求1或6所述的钝化层的测量方法，其特征在于，同批次的测试样片来自于所述钝化层的制造设备的不同工位，且所述制造设备为PECVD镀膜设备，所述不同工位包括所述PECVD镀膜设备中的石墨舟的第一炉口、第二炉口、炉中、第一炉尾、第二炉尾。