[发明专利]薄膜光伏结构在审
申请号: | 202110609487.3 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113488593A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 柯崇文;张宇帆;张裕洋;黄松健;刘修铭 | 申请(专利权)人: | 位速科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L27/30 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 结构 | ||
1.一种薄膜光伏结构,其特征在于,包括:
一基板(11);
一第一导电层(12),设置于该基板(11)上,且该第一导电层(12)具有复数第一蚀刻区(121)以将该第一导电层(12)划分为复数第一导电区(122);
一光伏层(13),设置于该第一导电层(12)上,且该光伏层(13)具有复数光伏蚀刻区(131)以将该光伏层(13)划分为复数光伏区(132);
一第二导电层(14),设置于该光伏层(13)上,且该第二导电层(14)具有复数第二蚀刻区(141)以将该第二导电层(14)划分为复数第二导电区(142);以及
复数第一绝缘区(15),分别设置于该等第二蚀刻区(141)下方且于该等光伏区(132)的上表面,且各该第一绝缘区(15)所具有的一第一绝缘区宽度(W1)大于各该第二蚀刻区(141)所具有的一第二蚀刻区宽度(W2)。
2.如权利要求1所述的薄膜光伏结构,其特征在于,更包含复数第二绝缘区(16),各该第二绝缘区(16)填充于各该第一蚀刻区(121)且包覆各该第一蚀刻区(121)的一上周缘(121a)。
3.如权利要求1所述的薄膜光伏结构,其特征在于,更包含复数第二绝缘区(16),各该第二绝缘区(16)部分填充于各该第一蚀刻区(121)且包覆各该第一蚀刻区(121)的一上周缘(121a)。
4.如权利要求1所述的薄膜光伏结构,其特征在于,更包含复数第二绝缘区(16),各该第一蚀刻区(121)进一步朝上贯穿各该光伏区(132),且各该第二绝缘区(16)填充于各该第一蚀刻区(121)并包覆各该第一蚀刻区(121)的一上周缘(121a)。
5.如权利要求1所述的薄膜光伏结构,其特征在于,其中各该第二蚀刻区(141)与各该光伏蚀刻区(131)部分重叠,且各该第一绝缘区(15)部分填充于各该光伏蚀刻区(131)内。
6.如权利要求5所述的薄膜光伏结构,其特征在于,更包含复数第二绝缘区(16),各该第二绝缘区(16)填充于各该第一蚀刻区(121)且包覆各该第一蚀刻区(121)的一上周缘(121a)。
7.如权利要求5所述的薄膜光伏结构,其特征在于,更包含复数第二绝缘区(16),各该第二绝缘区(16)部分填充于各该第一蚀刻区(121)且包覆各该第一蚀刻区(121)的一上周缘(121a)。
8.如权利要求5所述的薄膜光伏结构,其特征在于,更包含复数第二绝缘区(16),各该第一蚀刻区(121)进一步朝上贯穿各该光伏区(132),且各该第二绝缘区(16)填充于各该第一蚀刻区(121)并包覆各该第一蚀刻区(121)的一上周缘(121a)。
9.如权利要求1所述的薄膜光伏结构,其特征在于,其中该第二蚀刻区(141)所具有的该第二蚀刻区宽度(W2)介于20微米~500微米之间,且该第一绝缘区(15)所具有的该第一绝缘区宽度(W1)介于25微米~1000微米之间。
10.如权利要求1所述的薄膜光伏结构,其特征在于,其中各该第一导电区(122)及其所对应的该光伏区(132)与该第二导电区(142)形成一次光伏结构;一个该次光伏结构的该第二导电区(142)设置于相邻的另一个该次光伏结构的该第一导电区(122)的上表面而电性连接,使二个相邻的该次光伏结构形成串联。
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