[发明专利]等离子体处理装置和颗粒污染物的监测方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

反应腔，其内底部设置基座，所述基座用于承载晶圆，所述反应腔内具有颗粒污染物；

第一发射器，用于向所述颗粒污染物处发射信息；

第一接收器，用于接收来自于第一发射器在颗粒污染物处的散射信息以确定颗粒污染物的位置信息；

第二发射器，根据所述第一接收器确定的颗粒污染物的位置信息，向颗粒污染物的位置处发射信息；

第二接收器，用于接收来自于所述第二发射器在颗粒污染物处的散射信息以确定颗粒污染物的大小。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：外围部件，位于所述基座的外围；顶部部件，位于所述反应腔内的顶部。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述颗粒污染物位于所述晶圆表面、外围部件、顶部部件和反应腔的内侧壁中的至少一个上。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外围部件包括：聚焦环、覆盖环、静电吸盘、顶针或等离子体约束装置中的至少一个。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，当等离子体处理装置为电感耦合等离子体处理装置时，所述顶部部件包括：绝缘窗口或气体喷嘴等中的至少一个。

6.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，当等离子体处理装置为电容耦合等离子体处理装置时，所述顶部部件包括：安装基板、升降环或气体喷淋头等中的至少一个。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一发射器为发散光源；所述发散光源的光波长为600纳米～740纳米，所述发散光源的光斑大小为0毫米～1000毫米，所述发散光源的光功率大小为0兆瓦～1000兆瓦。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二发射器为点光源，所述点光源的光斑大小为1微米～10微米，所述点光源的光波长为200纳米～400纳米，所述光源的光功率为0兆瓦～1000兆瓦。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述颗粒污染物为直径小于1微米的固态物质。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置为等离子体刻蚀装置或者等离子体清洗装置。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应腔的侧壁上设置窗口，所述第一发射器、第二发射器、第一接收器和第二接收器设置在所述窗口的外表面，所述窗口用于透过所述发射信息和所述散射信息。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一发射器在颗粒污染物处的散射信息构成一圆锥体，所述第一接收器设置在所述圆锥体上的任一点；所述第二发射器在颗粒污染物处的散射信息构成另一圆锥体，所述第二接收器设置在所述另一圆锥体上的任一点。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一发射器和第二发射器设置在反应腔的同一侧壁外，所述第一接收器和第二接收器设置在反应腔的相对的另一侧壁外。

14.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：第一驱动机构，用于转动所述第一发射器和第二发射器；第二驱动机构，用于转动所述第一接收器和第二接收器；第三驱动机构，用于微调所述第二发射器的角度；所述第四驱动机构，用于微调所述第二接收器的角度；反馈机构，用于根据第一接收器确定的颗粒污染物的位置信息，向所述第三驱动机构和第四驱动机构下达命令，使所述第二发射器和第二接收器指向所述颗粒污染物的位置。