[发明专利]一种封装胶膜及其制作方法、光伏组件

权利要求书

1.一种封装胶膜，应用于光伏组件，其特征在于，所述封装胶膜包括第一胶膜层和抗PID层，所述抗PID层涂覆于所述第一胶膜层上；

所述抗PID层的涂覆材料包括单体和抗PID组分；

所述抗PID层为经所述单体和所述抗PID组分混合成溶液后涂覆于所述第一胶膜层上形成的；所述单体与所述抗PID组分的质量比为100:(4-25)；其中，所述单体包括二甲亚砜、四氢呋喃、丙烯酸酯、乙二醇、乙酸丁酯中的一种或几种；所述抗PID组分包括金属氧化物、金属硫化物、含有第IV A族元素的复合物中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述封装胶膜，其特征在于，所述涂覆的方式为喷涂。

3.根据权利要求1所述封装胶膜，其特征在于，所述涂覆的方式为空气辅助无气喷涂或者空气喷涂。

4.根据权利要求1所述封装胶膜，其特征在于，所述抗PID组分包括二氧化钛、铟锡氧化物、掺铝氧化锌、氧化铜、氧化铬、五氧化二钒、三氧化二铁、硫化镉、硫化锡、硫化铅、四硫化二铟合镉、硫铜锡锌矿、碳纳米管、氮化镓、碳化硅、硒化锌、二氧化硅中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述封装胶膜，其特征在于，所述单体与所述抗PID组分的质量比为100:7，所述抗PID组分的粒径小于或等于600nm；所述抗PID层的厚度为10nm～700nm。

6.根据权利要求1～4任一项所述封装胶膜，其特征在于，所述封装胶膜还包括第二胶膜层，所述抗PID层位于所述第一胶膜层和所述第二胶膜层之间；所述第一胶膜层和所述第二胶膜层的厚度均为900μm以下。

7.一种光伏组件，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述封装胶膜。

8.根据权利要求7所述光伏组件，其特征在于，所述光伏组件还包括电池串组和玻璃盖板，当光伏组件封装胶膜包括第一胶膜层和抗PID层，所述电池串组与所述第一胶膜层接触，所述抗PID层与所述玻璃盖板接触；或所述电池串组与所述抗PID层接触，所述第一胶膜层与所述玻璃盖板接触；当光伏组件封装胶膜包括第一胶膜层、抗PID层和第二胶膜层时，所述电池串组与所述第一胶膜接触，所述玻璃盖板与所述第二胶膜层接触。

9.一种封装胶膜的制作方法，其特征在于，应用于权利要求1～4任一所述的封装胶膜，包括：

提供第一胶膜层；

在所述第一胶膜层上涂覆抗PID层。

10.根据权利要求9所述封装胶膜的制作方法，其特征在于，在所述第一胶膜层上涂覆抗PID层包括：用紫外线照射所述抗PID层。

11.根据权利要求9或10所述封装胶膜的制作方法，其特征在于，在所述第一胶膜层上涂覆抗PID层后，所述封装胶膜的制作方法还包括：确定所述封装胶膜的抗PID性能低于限定条件，在所述第一胶膜层上再次涂覆抗PID层。