[发明专利]简单高效的单结N型单晶硅电池技术

权利要求书

1.一种简单高效的单结N型单晶硅电池技术，其特征是一种工艺简单可靠且产线设备成本极低的单PN结的N型单晶硅光伏电池技术，该工艺简单的单结N型单晶硅太阳能电池，主要由N型单晶硅、正面硼扩散层、正面超薄金属非金属钝化层、正面透明导电减反层和丝网印刷阳极栅层，背面超薄非金属钝化层、背面超薄金属合金层、背面透明导电层和丝网印刷阴极栅层等组成。

2.如权利要求1所述的简单高效的单结N型单晶硅电池技术，其特征在于，该电池技术工艺流程主要为：双面制绒清洗、正面硼扩散、刻蚀抛光、正面超薄金属非金属钝化层、背面超薄非金属钝化层、背面超薄金属合金层、中低温退火、正面透明导电减反层、背面透明导电层、正面丝网印刷阳极栅层、背面丝网印刷阴极栅层、低温退火、测试等，其中所有镀膜层以低成本的更环保的磁控溅射等物理镀膜工艺为主。

3.如权利要求1所述的简单高效的单结N型单晶硅电池技术，其特征在于，该电池结构中的正面超薄金属非金属钝化层及背面超薄非金属钝化层、背面超薄金属合金层，均使用磁控溅射、电子束蒸镀等物理沉积工艺，厚度0—20nm，并作中低温退火处理。

4.如权利要求1所述的工简单高效的单结N型单晶硅电池技术，其特征在于，该电池结构中的正面透明导电减反层、背面透明导电层，由磁控溅射等物理镀膜工艺完成，膜厚度10—200nm。

5.如权利要求1所述的简单高效的单结N型单晶硅电池技术，其特征在于，该电池结构中的正面丝网印刷阳极栅层、背面丝网印刷阴极栅层，均只需低温固化退火处理，其中，正面丝网印刷阳极栅层的阳极栅线浆料为银浆料，背面丝网印刷阴极栅层的阴极栅线浆料可以是银浆料、铝浆料或适度掺杂的银、铝、镍、铜、镁等金属元素的二元或多元合金浆料。

6.如权利要求1所述的简单高效的单结N型单晶硅电池技术，其特征在于，该电池结构中的背面丝网印刷阴极栅层，也可以使用栅形掩膜以磁控溅射合金靶材的物理真空沉积工艺完成。