[发明专利]高电位梯度压敏电阻片的制备方法

权利要求书

1.一种高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

a.按照组分质量百分比计算，采用如下原料配方准备原料：

ZnO：84～94wt.％，Bi₂O₃：1～5wt.％，Sb₂O₃：1～5wt.％，Ga(NO₃)₃：0～2wt.％，Cr₂O₃：0～2wt.％，MnO₂：0.5～5wt.％，Co₂O₃：0.5～5wt.％，SiO₂：0.5～3wt.％，含Ag和B的玻璃粉：0.5～3wt.％；

b.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb₂O₃、SiO₂、玻璃粉和去离子水混合后，制成第一混合粉体；同时，将在所述步骤a中准备的Bi₂O₃、Ga(NO₃)₃、Cr₂O₃、MnO₂、Co₂O₃与去离子水混合，制成第二混合粉体；

c.将在所述步骤b得到第一混合粉体和第二混合粉体与分散剂、粘结剂、去离子水继续进行混合，将混合液处理得到总浆料；

d.将在所述步骤c中制备的总浆料进行喷雾造粒，得到造粒料；再向造粒料加入去离子水和脱模剂，混合均匀后过筛，然后对过筛收集的粉料进行陈腐处理得到制坯粉料；将制坯粉料压制成型得到坯体；

e.将在所述步骤d中制备的坯体处理得到电阻片坯体，在电阻片坯体表面制备金属电极，得到高电位梯度电阻片。

2.根据权利要求1所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤b中，第一混合粉体的制备方法如下：

i.将在所述步骤a中准备的ZnO、Sb₂O₃、SiO₂、玻璃粉和去离子水混合，球磨，过筛，收集混合浆料，然后将混合浆料烘干后粉碎得到混合粉体；

ii.将在所述步骤i中得到的混合粉体进行预煅烧，冷却、粉碎成第一混合粉体。

3.根据权利要求2所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤i中，球磨时间为8-12h，筛的目数为120目；烘干温度为100-120℃。

4.根据权利要求2所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤ii中，预煅烧温度为700-900℃，时间为1-3h。

5.根据权利要求1所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤b中，第二混合粉体的制备方法如下：

将在所述步骤a中准备的Bi₂O₃、Ga(NO₃)₃、Cr₂O₃、MnO₂、Co₂O₃与去离子水混合，然后将混合料加入到球磨机中球磨，再经烘干和粉碎；制成第二混合粉体。

6.根据权利要求5所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述混合料中，含固率大于等于60wt.％，球磨时间24～48h，球磨的混合料的粒径为0.5-2μm。

7.根据权利要求1所述高电位梯度电阻片的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，分散剂的用量为第一混合粉体和第二混合粉体之和的0.3wt.％～1.5wt.％、粘结剂的用量为第一混合粉体和第二混合粉体之和的0.5wt.％～2wt.％；混合液处理方法如下：

将混合液处理加入球磨机中球磨12～24h、经目数为120目的筛子过筛将所得到的浆料过筛。