[发明专利]电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法

权利要求书

1.一种电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）铜膜沉积

将硅片放置在电子束蒸发镀膜机的载玻片上，溅射形成厚度为200+10nm的铜金属薄膜，表面为纳米级平整度；

（2）旋涂PMMA

将制备有铜金属薄膜的硅片置于匀胶机的真空吸盘上，使用胶头滴管在浓度为3%，分子量为950k的PMMA溶液里吸取液滴滴于硅片表面，并采用9000+200rpm的转速旋转成膜，然后180+20℃烘烤5~7min以去除薄膜内部溶剂；

（3）电子束辐照铜箔—PMMA

将步骤（2）旋涂PMMA薄膜后的硅片置于电子束真空曝光系统，曝光参数为30μm光阑、30kV电压、5000~10000μm/cm²剂量，曝光区域PMMA薄膜在电子束辐照下将实现有机分子裂解脱吸附和碳原子的排布重组，电子束斑点尺寸为1~3nm；

（4）丙酮显影

将步骤（3）中经过电子束辐照后的硅片置于丙酮溶液中浸泡10~12min，电子束辐照区域因碳原子交联重组而保留下来，未辐照区域则溶解于丙酮溶液而被去除，从而得到石墨烯纳米条带。

2.如权利要求1所述的电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法，其特征在于，步骤（1）中硅片大小为1×1mm。

3.如权利要求1所述的电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法，其特征在于，步骤（2）中匀胶机转速为9000rpm；烘烤温度180℃，烘烤时间5min，PMMA薄膜厚度为50nm。

4.如权利要求1所述的电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法，其特征在于，步骤（4）中浸泡时间为10min。

5.如权利要求1所述的电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法，其特征在于，步骤（1）铜膜沉积前，使用丙酮、异丙醇、无水乙醇、去离子水分别对硅片进行超声清洗15min。

6.如权利要求1所述的电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法，其特征在于，步骤（1）中沉积工艺：电子束蒸发镀膜机在真空度为5×10^-5Pa的环境下使用500W的功率工作200s。

7.如权利要求1所述的电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造方法，其特征在于，步骤（3）曝光参数中，剂量为5000μm/cm²。