[发明专利]一种基于PB试验和正交试验的微流控芯片注塑工艺参数优化方法

权利要求书

1.一种基于PB试验和正交试验的微流控芯片注塑工艺参数优化方法，其特征在于：所述优化方法包括如下步骤：

步骤1：选取微流控芯片顶出时的体积收缩率为优化目标；

步骤2：选取对微流控芯片收缩变形有影响的工艺因素作为PB试验因子；

步骤3：确定步骤2中试验因子的水平，每个因素选取两个水平；

步骤4：根据步骤3中的因子水平，运行Minitab软件设计PB试验方案表；

步骤5：按照PB试验设计方案对微流控芯片进行模拟分析并对分析结果进行数据分析处理得出对微流控芯片收缩变形有显著性影响的因子；

步骤6：忽略次要因素的影响，将显著性因子作为正交试验因子并考虑各因子之间的交互作用设计合适的正交表；

步骤7：根据正交表执行仿真分析并得到仿真结果，对正交试验结果进行极差分析得出各因素影响主次顺序并得出最优工艺参数组合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2中，选取6个影响因子，包括：模具温度A、熔体温度B、保压压力C、保压时间D、注射速率E、注射压力F。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤3中，每个因子选取两个因素水平，-1表示低水平，1表示高水平。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤4中，使用Minitab软件设计PB试验方案表。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤5中，按照所设计的PB试验方案表进行仿真分析，并对结果进行分析处理获得显著性影响因子。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤6中，可使用R语言、Design-Expert、SPSS、Minitab等软件设计合理的正交试验表方案，正交表L_n(p^q)行数n，列数q，水平数p之间关系如下：

n＝p^k,k＝2,3,4,5,…,q＝(n-1)/(p-1)。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤7中，根据正交表试验方案进行模拟分析，最后将所得结果进行极差分析，得到每个影响因子在各水平下的最优值，排列出各影响因子的主次顺序并获得最优工艺参数的组合结果。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所得试验结果数据进行极差分析；

在极差分析中，假设影响因子A的极差计算公式为：

其中为因子A的第i个水平所得结果之和T_i的平均值，极差值越大表明该因子对结果影响越大。