[发明专利]显示装置及制造显示装置的方法在审
申请号: | 202110612606.0 | 申请日: | 2021-06-02 |
公开(公告)号: | CN113764485A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 李宗璨;朴相俊;李政炫;郑雄喜;洪光泽 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.显示装置,包括:
衬底,包括接触区域和线区域;
第一电极,在所述衬底上在第一方向上延伸;
第一电极图案,在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且与所述第一电极间隔开;
第二电极,在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且位于所述第一电极与所述第一电极图案之间;
第二电极图案,在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且位于所述第一电极与所述第二电极之间;
第一发光元件,在所述接触区域中位于所述第一电极与所述第二电极图案之间;
第一接触电极,在所述接触区域中位于所述第一电极上并且与所述第一发光元件的第一端部接触;
第二接触电极,包括第一区域和第二区域,其中,所述第一区域在所述接触区域中位于所述第二电极图案上并且与所述第一发光元件的第二端部接触,以及其中所述第二区域从所述第一区域延伸并且位于所述线区域中;以及
第一图案,位于所述线区域中的所述第二区域上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一图案与所述第二区域物理接触。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一图案包括与所述第一接触电极相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括在所述接触区域中位于所述第二电极与所述第一电极图案之间的第二发光元件。
5.根据权利要求4所述的显示装置,还包括在所述接触区域中位于所述第二电极上的第三接触电极,并且所述第三接触电极与所述第二发光元件的第一端部接触,
其中,所述第二接触电极还包括第三区域,所述第三区域从所述第二区域延伸以在所述接触区域中位于所述第一电极图案上,并且与所述第二发光元件的第二端部接触。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三接触电极包括与所述第一接触电极相同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括位于所述第二接触电极上的绝缘层,
其中,所述绝缘层在所述线区域中暴露所述第二区域的至少一部分,并且在所述接触区域中覆盖所述第一区域。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一图案与所述第二区域的由所述绝缘层暴露的所述至少一部分物理接触。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第二区域的上表面与所述第一图案的下表面直接接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置,还包括位于所述第二接触电极上的绝缘层,
其中,所述绝缘层在所述线区域中位于所述第一图案与所述第二区域之间,并且包括穿透所述绝缘层的多个接触孔以暴露所述第二区域的一部分。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一图案通过穿透所述绝缘层的所述多个接触孔与所述第二区域直接接触。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一接触电极的厚度、所述第二接触电极的厚度和所述第一图案的厚度各自在至的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110612606.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的