[发明专利]IGBT结构及制造方法在审
| 申请号： | 202110612619.8 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN115440806A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖;李铁生;马林宝;薛志民;王荣华 | 申请（专利权）人： | 西安龙威半导体有限公司;旭矽半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 马盼;吴世华 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 结构 制造 方法 | ||
1.一种IGBT结构，其特征在于，包括：CZ衬底，自下而上依次设置的集电区、缓冲区及漂移区；其中，
所述集电区及所述缓冲区分别自所述CZ衬底的正面延伸入所述CZ衬底内，且所述集电区的背面邻近所述CZ衬底的背面，正面覆盖有所述缓冲区的背面，所述缓冲区的正面平齐于所述CZ衬底的正面，所述漂移区的背面覆盖所述缓冲区及所述CZ衬底的正面。
2.如权利要求1所述的IGBT结构，其特征在于，所述漂移区的正面设有IGBT正面结构，所述IGBT正面结构包括：
栅极结构，覆盖部分所述漂移区的正面；
基区，自所述栅极结构相对的两侧，沿所述漂移区的正面延伸入所述漂移区内，且部分所述基区的正面与所述栅极结构的底面相连；
发射区，对应所述基区，自所述栅极结构相对的两侧，沿所述基区的正面延伸入所述基区内，且部分所述发射区的正面与所述栅极结构的底面相连；
金属发射极，分设于所述栅极结构相对的两侧，且覆盖所述发射区及所述基区的正面。
3.如权利要求2所述的IGBT结构，其特征在于，所述栅极结构包括平面栅结构或槽栅结构。
4.一种IGBT结构的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S01：提供CZ衬底；
步骤S02：自所述CZ衬底的正面注入形成集电区，且所述集电区的背面邻近所述CZ衬底的背面；
步骤S03：自所述CZ衬底的正面注入形成缓冲区，且所述缓冲区的背面覆盖所述集电区的正面；
步骤S04：自所述CZ衬底的正面外延形成漂移区。
5.如权利要求4所述的IGBT结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲区的正面平齐于所述CZ衬底的正面。
6.如权利要求5所述的IGBT结构的制造方法，其特征在于，所述漂移区还覆盖所述缓冲区的正面。
7.如权利要求4所述的IGBT结构的制造方法，其特征在于，所述CZ衬底的尺寸大于或等于12英寸。
8.如权利要求4所述的IGBT结构的制造方法，其特征在于，所述CZ衬底包括P型轻掺杂硅衬底。
9.如权利要求4所述的IGBT结构的制造方法，其特征在于，步骤S02：采用硼离子或砷离子注入形成所述集电区。
10.如权利要求4所述的IGBT结构的制造方法，其特征在于，步骤S03：采用磷离子注入形成所述缓冲区。
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