[发明专利]具有EMI屏蔽的微电子装置封装、制造方法和相关电子系统在审
申请号: | 202110612842.2 | 申请日: | 2021-06-02 |
公开(公告)号: | CN113764383A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 高荣范;权永益;李仲培 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L25/18;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 emi 屏蔽 微电子 装置 封装 制造 方法 相关 电子 系统 | ||
1.一种微电子装置封装,其包括:
衬底,其包含具有暴露于其表面上的端子部分的导电迹线;
微电子装置,其具有有源表面,所述有源表面面向所述衬底的所述表面且通过在所述微电子装置与所述端子部分之间直接延伸的导电元件连接到在所述微电子装置之下的所述导电迹线的端子部分;
电介质材料,其在所述微电子装置与所述衬底之间;
EMI屏蔽件,其在所述微电子装置的背侧和侧面以及所述电介质材料的外围之上延伸以接触所述衬底的所述表面;
至少一个其它微电子装置,其在所述EMI屏蔽件之上且具有有源表面,所述有源表面在其上具有接合垫并背对所述EMI屏蔽件;以及
接合线,其在所述接合垫与所述微电子装置的外围之外的所述导电迹线的端子部分之间延伸。
2.根据权利要求1所述的微电子装置封装,所述至少一个其它微电子装置包括两个或更多个其它微电子装置,其以其中接合垫邻近其横向边缘的相互横向偏移的布置堆叠,在最下部其它微电子装置上方的每一其它微电子装置暴露邻近下一下部微电子装置的横向边缘的所述接合垫;并且进一步包括接合线,所述接合线从所述两个或更多个其它微电子装置的接合垫延伸到不同的其它微电子装置的接合垫或所述微电子装置的所述外围之外的所述导电迹线的端子部分中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的微电子装置封装,其进一步包括包封所述微电子装置、所述EMI屏蔽件、所述两个或更多个其它微电子装置和所述接合线的电介质材料,所述电介质材料延伸到所述衬底的所述表面且覆盖在所述微电子装置的所述外围之外的所述导电迹线的所述端子部分。
4.根据权利要求2所述的微电子装置封装,所述微电子装置和所述两个或更多个其它微电子装置分别被配置成以主/从关系组合地操作。
5.根据权利要求4所述的微电子装置封装,其中所述微电子装置被配置为主存储器装置,并且所述两个或更多个其它微电子装置各自被配置为从存储器装置。
6.根据权利要求4所述的微电子装置封装,其中所述微电子装置是被配置为存储器控制器的逻辑装置,并且所述两个或更多个其它微电子装置被配置为存储器装置。
7.根据权利要求2所述的微电子装置封装,所述微电子装置是在所述有源表面之上包含RDL或iRDL的半导体裸片,所述RDL或iRDL将至少一些接合垫重新布设到与所述半导体裸片之下的所述导电迹线的端子部分对准的接合垫位置,所述导电元件在所述接合垫位置与所述半导体裸片之下的所述端子部分之间延伸。
8.根据权利要求2所述的微电子装置封装,所述两个或更多个其它微电子装置是在其所述有源表面之上各自包含RDL或iRDL的半导体裸片,所述RDL或iRDL将其上的至少一些接合垫位置重新布设到邻近其所述横向边缘的接合垫。
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的微电子装置封装,其中所述EMI屏蔽件是金属材料,所述金属材料的至少一些部分在所述衬底的所述表面之上横向向外延伸。
10.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的微电子装置封装,其进一步包括:
电介质材料,其包封所述微电子装置、所述EMI屏蔽件、所述至少一个其它微电子装置和所述接合线,所述电介质材料接触所述衬底的所述表面且延伸到衬底外围;以及
外部导电元件,其耦合到所述衬底的导电迹线且从所述衬底的与所述微电子装置相对的表面突出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110612842.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:报告制作辅助装置以及报告制作辅助程序
- 下一篇:电池系统