[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上交替堆叠层间绝缘层和层间介质层，以形成叠层结构，所述层间绝缘层的厚度等于第一初始厚度，所述层间介质层的厚度等于第二初始厚度；

形成垂直贯穿所述叠层结构的沟道结构；

去除所述层间介质层，以形成凹槽；

去除部分所述层间绝缘层，以使所述层间绝缘层的厚度等于第一特定厚度，所述第一特定厚度与所述第一初始厚度相差第一预设厚度；

在所述凹槽内填充栅极导体层，所述栅极导体层的厚度等于第二特定厚度，所述第二特定厚度与所述第二初始厚度相差所述第一预设厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成垂直贯穿所述叠层结构的沟道结构的步骤，包括：

形成垂直贯穿所述叠层结构的沟道孔；

在所述沟道孔中依次形成阻挡绝缘层、电荷俘获层、隧穿绝缘层和沟道层，所述阻挡绝缘层的厚度等于第三初始厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除部分所述层间绝缘层的步骤，还包括：同时去除部分所述阻挡绝缘层，以使所述阻挡绝缘层的厚度等于第三特定厚度，所述第三特定厚度与所述第三初始厚度相差第二预设厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述层间绝缘层与所述阻挡绝缘层的刻蚀比大于1。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度的二分之一。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在去除所述层间介质层的步骤之前，还包括：形成垂直贯穿所述叠层结构的栅线缝隙。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除部分所述层间绝缘层的步骤，包括：通过所述栅线缝隙刻蚀所述层间绝缘层的表面和所述阻挡绝缘层的表面，所述层间绝缘层的刻蚀深度为所述第一预设厚度的二分之一，所述阻挡绝缘层的刻蚀深度为所述第二预设厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除所述层间介质层的步骤，包括：通过所述栅线缝隙刻蚀所述层间介质层，以去除所述层间介质层形成所述凹槽。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一特定厚度小于所述第二特定厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度小于等于厚度阈值。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述叠层结构包括第一叠层结构和第二叠层结构，所述第二叠层结构包括位于所述第一叠层结构上的第一子叠层结构、及位于所述第一子叠层结构上的第二子叠层结构；

形成所述叠层结构的步骤，包括：

在所述衬底上形成所述第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替堆叠的所述层间绝缘层和所述层间介质层；

通入掺杂气体，在所述第一叠层结构上交替沉积特定层数的所述层间绝缘层和所述层间介质层，以形成第一子叠层结构；

在所述第一子叠层结构上形成第二子叠层结构，所述第二子叠层结构包括交替堆叠的所述层间绝缘层和所述层间介质层，所述第一子叠层结构中所述层间介质层的硬度小于所述第二子叠层结构中所述层间介质层的硬度。