[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底单晶；

在所述衬底单晶两侧分别形成扩散层，所述扩散层由杂质原子经退火扩散入所述衬底单晶形成，所述衬底单晶与所述扩散层的掺杂类型相同；

在一侧所述扩散层形成体区，所述体区与所述扩散层的掺杂类型相反；

在所述体区形成发射极区，所述体区位于所述扩散层和所述发射极区之间，所述发射极区与所述扩散层掺杂类型相同。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底单晶两侧分别形成扩散层，所述扩散层由杂质原子经退火扩散入所述衬底单晶形成包括：

将所述衬底单晶放入高温炉管中，所述高温炉管内的温度为第一预设温度；

向所述高温炉管内通入含有杂质原子的气体混合物；

所述衬底单晶在所述高温炉管内持续退火第一预设时长。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述气体混合物中所述杂质原子的浓度为10¹⁷～10¹⁸cm^-3，所述第一预设温度为1000-1300℃，所述第一预设时长为36-100h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，两侧所述扩散层之间的所述衬底单晶形成漂移区，所述扩散层包括朝外的第一侧和与所述漂移区衔接的第二侧，所述第一侧至所述第二侧的原子掺杂浓度呈单调降低。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一侧的原子掺杂浓度为10¹⁶cm^-3～10¹⁹cm^-3，所述漂移区的原子掺杂浓度为10¹³cm^-3～10¹⁶cm^-3，所述扩散层的所述第一侧至所述第二侧的深度为10um～50um。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括：

在所述扩散层和所述体区表面形成栅极金属或多晶板；

在所述发射极区和所述体区表面形成发射极金属。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括：

形成集电极区，集电极区的掺杂类型与扩散层的掺杂类型相反；

在所述集电极区表面形成集电极金属，所述集电极金属与所述集电极区形成欧姆接触。

8.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

漂移区；

扩散层，形成于所述漂移区的两侧表面，所述扩散层与所述漂移区的掺杂类型相同，所述扩散层包括朝外的第一侧和与所述漂移区衔接的第二侧，所述第一侧至所述第二侧的原子掺杂浓度呈单调降低，所述第二侧与所述漂移区的原子掺杂浓度相同；

体区，形成于一侧所述扩散层表面，所述体区与所述扩散层掺杂类型相反；

发射极区，形成于所述体区表面，所述发射极区所述扩散层掺杂类型相同。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，包括：

所述第一侧的原子掺杂浓度为10¹⁶cm^-3～10¹⁹cm^-3，所述漂移区的原子掺杂浓度为10¹³cm^-3～10¹⁶cm^-3，所述扩散层的所述第一侧至所述第二侧的深度为10um～50um。

10.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，包括：

集电极区，形成于远离所述发射极区一侧，所述集电极区所述扩散层掺杂类型相反。