[发明专利]一种正电压电平向负电压电平转换的电路在审
| 申请号： | 202110613334.6 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113179097A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王洋 | 申请（专利权）人： | 南京工业职业技术大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 南京灿烂知识产权代理有限公司 32356 | 代理人： | 李志鸿 |
| 地址： | 210023 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 电平 转换 电路 | ||
1.一种正电压电平向负电压电平转换的电路，其特征在于：包括依次连接的偏置电路和电平变换核心电路，所述偏置电路产生偏置信号为电平变换核心电路提供直流工作点，所述电平变换核心电路将输入的正电压电平信号转换为电路内部的负电压电平信号；
所述偏置电路包括第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS的漏极相连后输出第一电平信号，所述第一PMOS管的源极接地，所述第一PMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连后输出第二电平信号，所述第一NMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的源极接至负压电源，所述第二NMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极相连；
所述电平变换核心电路包括第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第二PMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连后接地，所述第二PMOS管的源级用于输入正电压电平信号，所述第二PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的栅极与第三NMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管的栅极接入第一电平信号，所述第五NMOS管的源极接入第二电平信号，所述第四NMOS管的源极与第五NMOS管的漏极相连后输出变换完成的负电平信号。
2.根据权利要求1所述的一种正电压电平向负电压电平转换的电路，其特征在于：所述电平变换核心电路根据输入电平信号的数量设置为多个，每个电平变换核心电路均与偏置电路相连。
3.根据权利要求1所述的一种正电压电平向负电压电平转换的电路，其特征在于：所述正电压电平信号为正电压电平脉冲信号，所述正电压电平脉冲信号包括+5/0V脉冲信号或+3.3/0V脉冲信号。
4.根据权利要求3所述的一种正电压电平向负电压电平转换的电路，其特征在于：所述正电压电平脉冲信号为TTL或CMOS信号。
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