[发明专利]一种压力计芯片及其制造工艺

权利要求书

1.一种压力计芯片，包括相互键合的盖板和基板；其特征在于：所述盖板底面形成有凹陷部，所述盖板的凹陷部与所述基板相键合后形成一密封的空腔；在所述空腔内的所述基板上设置有多个压阻检测元件，所述压阻检测元件相互连接形成等边多边形压阻检测结构，其中，所述等边多边形中的每个边为一个所述压阻检测元件；所述盖板通过划片分割出多个相互绝缘的弹性电引脚，所述弹性电引脚与所述基板上的所述压阻检测结构通过欧姆接触相电连接；所述弹性电引脚与所述压阻检测结构相连接的一端的横截面积不大于另一端的横截面积。

2.如权利要求1所述的压力计芯片，其特征在于：所述压阻检测元件沿所述空腔的侧壁设置。

3.如权利要求1所述的压力计芯片，其特征在于：所述压阻检测结构包括四个所述压阻检测元件，所述压阻检测元件相互连接成一正方框形，其中，正方框形中的每个边为一个所述压阻检测元件。

4.如权利要求3所述的压力计芯片，其特征在于：所述压阻检测元件相互之间以惠斯登电桥方式相电连接。

5.如权利要求3所述的压力计芯片，其特征在于：所述基板是设置在{100}晶体平面上的P型硅，所述压阻检测元件设置在110晶体方向上。

6.如权利要求3所述的压力计芯片，其特征在于：所述基板是设置在{100}晶体平面上的N型硅，所述压阻检测元件设置在100晶体方向上。

7.如权利要求3所述的压力计芯片，其特征在于：所述基板是设置在{110}晶体平面上的P型硅，一组所述压阻检测元件沿100晶体方向布置，另一组所述压阻检测元件沿110晶体方向布置。

8.如权利要求3所述的压力计芯片，其特征在于：所述基板是设置在{110}晶体平面上的N型硅，一组所述压阻检测元件沿100晶体方向布置，另一组所述压阻检测元件沿110晶体方向布置。

9.如权利要求1所述的压力计芯片，其特征在于：所述弹性电引脚的一端设置有金属焊球。

10.如权利要求1所述的压力计芯片，其特征在于：所述压力计芯片的基板为绝缘体上硅结构，包括器件层、衬底层以及设置在所述器件层与所述衬底层之间的氧化硅埋层；所述压阻检测元件设置于所述器件层中。

11.如权利要求10所述的压力计芯片，其特征在于：所述压阻检测元件的顶端、底端及侧壁均形成有氧化硅隔离层。