[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202110613538.X | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113363370A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 曲晓东;陈凯轩;杨克伟;林志伟;赵斌 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：
导电基板；
设置于所述导电基板表面的外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；
第一电极，其层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面；
遮挡层，其涂覆于所述外延叠层的侧壁，用于遮挡LED芯片的侧向溢出光；
荧光粉，其涂覆于所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面，且不覆盖所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述遮挡层从所述外延叠层的侧壁延伸至所述外延叠层的边缘或部分表面。
3.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述荧光粉通过保形涂覆工艺形成于所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面。
4.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述遮挡层包括非透明的有机胶水。
5.根据权利要求4所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述遮挡层包括钛白粉掺杂的硅胶。
6.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述遮挡层包括非透明的无机材料。
7.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述遮挡层包括DBR结构。
8.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述遮挡层包括依次层叠的绝缘层和金属层，且所述绝缘层靠近所述外延叠层的侧壁。
9.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1所述的垂直结构LED芯片，包括如下步骤：
S01、提供一生长衬底；
S02、层叠一外延叠层于生长衬底表面，所述外延叠层包括沿生长方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层；
S03、通过键合工艺，将所述外延叠层固定于导电基板，且所述导电基板形成于第一型半导体层的表面；
S04、剥离生长衬底；
S05、制作第一电极，其层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面；
S06、制作遮挡层，其涂覆于所述外延叠层的侧壁；
S07、制作荧光粉，其通过保形涂覆工艺涂覆于所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面，且不覆盖所述第一电极。
10.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求2所述的垂直结构LED芯片，包括如下步骤：
S01、提供一生长衬底；
S02、层叠一外延叠层于生长衬底表面，所述外延叠层包括沿生长方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层；
S03、通过键合工艺，将所述外延叠层固定于导电基板，且所述导电基板形成于第一型半导体层的表面；
S04、剥离生长衬底；
S05、制作第一电极，其层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面；
S06、制作遮挡层，其涂覆于所述外延叠层的侧壁并延伸至所述外延叠层的边缘或部分表面；
S07、制作荧光粉，其通过保形涂覆工艺涂覆于所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面，且不覆盖所述第一电极。
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