[发明专利]一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关

说明书

本发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关，所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE4四个CMOS传输门组成，其中：所述第一CMOS传输门TR_GATE1和第四CMOS传输门TR_GATE4组成主传输通路，第二CMOS传输门TR_GATE2和第三CMOS传输门TR_GATE3组成交叉传输通路。本发明的射频开关实现了工作带宽大、低插入损耗、高隔离度，转换时间很短，并且线性度较高，功率处理能力强。

技术领域

本发明属于电子信息领域，涉及一种工作频带超宽、低损耗、高隔离的差分结构射频开关电路。

背景技术

随着移动通信的不断发展，射频前端模组（FEMs）的需求不断增加，由于智能手机需要接收更多频段的射频信号，因此，移动智能终端中需要不断增加射频开关的数量以满足对不同频段信号接收、发射的需求，所以，满足射频需求的开关是射频系统模组中需求量最大的模块，其性能直接决定整个射频收发机的性能。描述射频开关性能的指标主要包括插入损耗、隔离度、回波损耗以及高线性功率处理能力。

多年来，射频开关主要采用PIN二极管和III-V MESFETs等分立器件，随着集成电路与系统的发展趋势，集成射频开关逐渐成为主流。现如今，通过集成电路工艺实现射频集成电路已经被广泛应用。

发明内容

本发明基于集成电路工艺，提供了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关，该开关电路可以用于电子信息领域的集成射频开关器件，工作频带具有超宽带、插入损耗很低、隔离度非常高的优点。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种CMOS传输门，包括NMOS传输通路和PMOS传输通路，其中：

所述NMOS传输通路由第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一NMOS晶体管栅极电阻Rgn1、第二NMOS晶体管栅极电阻Rgn2、第一衬底电阻Rbn1、第二衬底电阻Rbn2组成；

所述PMOS传输通路由第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一PMOS栅极电阻Rgp1、第二PMOS栅极电阻Rgp2、第一衬底电阻Rbp1、第二衬底电阻Rbp2组成；

所述CMOS传输门的输入端Vin与第一NMOS晶体管的源极 相连，第一NMOS晶体管的漏极 与第二NMOS晶体管的漏极 相连，第一NMOS晶体管栅极电阻Rgn1的一端与第一NMOS晶体管的栅极相连，第一NMOS晶体管栅极电阻Rgn1的另一端与第二NMOS晶体管栅极电阻Rgn2的一端相连，第一NMOS晶体管栅极电阻Rgn1和第二NMOS晶体管栅极电阻Rgn2共同连接到控制电压Vgn，第二NMOS晶体管栅极电阻Rgn2的另一端与第二NMOS晶体管的栅极相连，第一NMOS晶体管的衬底端与第一NMOS晶体管衬底电阻Rbn1的一端相连，第一NMOS晶体管衬底电阻Rbn1的另一端与GND相连，第二NMOS晶体管的衬底端与第二NMOS晶体管衬底电阻Rbn2的一端相连，第二NMOS晶体管衬底电阻Rbn2的另一端与GND相连，第二NMOS晶体管的源极 与传输门的输出端Vout相连，如此，NMOS传输通路连接完成；