[发明专利]储存装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202110614115.X 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN114077390A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 黄俊善;李政桓;孙琯琇 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 储存 装置 及其 操作方法
【说明书】:

本申请公开了储存装置及其操作方法。本技术涉及电子装置。储存装置包括:多个存储器装置,其包括执行操作的目标存储器装置和非目标存储器装置;以及存储器控制器,其被配置为控制多个存储器装置,在该储存装置中存储器装置控制ODT操作以用数量减少的引脚来改善存储器装置的操作性能。多个存储器装置中的每一个包括:管芯上端接(ODT)标志生成器,其被配置为生成指示可以对非目标存储器装置进行ODT操作的标志;以及ODT执行器,其被配置为基于标志来确定ODT操作是针对读取操作的ODT读取操作还是针对写入操作的ODT写入操作,并且被配置为生成使能ODT读取操作或ODT写入操作的使能信号。

技术领域

本公开涉及电子装置,更具体地涉及储存装置及其操作方法。

背景技术

储存装置是基于诸如计算机、智能电话或智能平板之类的主机装置存储数据的装置。储存装置包括将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)之类的磁盘中的装置、将数据存储在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡之类的半导体存储器(尤其是非易失性存储器)中的装置。

储存装置可以包括其内存储数据的存储器装置和将数据存储在存储器装置中的存储器控制器。存储器装置可以分类为易失性存储器和非易失性存储器。这里,非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EPM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。

发明内容

根据本公开的实施方式的储存装置包括:多个存储器装置,其包括在其中执行操作的目标存储器装置和非目标存储器装置;以及存储器控制器,其被配置为控制多个存储器装置。多个存储器装置中的每一个包括:管芯上端接(on die termination,ODT)标志生成器,其被配置为生成指示可以对非目标存储器装置进行ODT操作的标志;以及ODT执行器,其被配置为基于标志来确定ODT操作是针对读取操作的ODT读取操作还是针对写入操作的ODT写入操作,并且被配置为生成使能ODT读取操作或ODT写入操作的使能信号。

根据本公开的实施方式的操作具有多个存储器装置和控制多个存储器装置的存储器控制器的储存装置的方法包括:由多个存储器装置当中的目标存储器装置执行操作;生成指示可以对非目标存储器装置进行管芯上端接(ODT)操作的标志;基于标志确定ODT操作是针对读取操作的ODT读取操作还是针对写入操作的ODT写入操作;以及由非目标存储器装置生成使能ODT读取操作或ODT写入操作的使能信号。

附图说明

图1是例示储存装置的框图。

图2是例示图1的存储器装置的结构的图。

图3是例示图2的存储器单元阵列的实施方式的图。

图4是例示由图1的存储器控制器执行的管芯上端接(ODT)操作的图。

图5是例示图1的存储器装置的引脚配置的图。

图6A和图6B是例示当图1的存储器装置的数量为多个时的目标存储器装置和非目标存储器装置的图。

图7是例示生成标志的过程的图。

图8是例示图7的ODT标志生成器的配置的图。

图9是例示为了对非目标存储器装置执行ODT操作而从存储器控制器输出的命令的图。

图10例示了基于标志对非目标存储器执行ODT操作的过程。

图11是例示图10的ODT执行器的配置的图。

图12是例示图11的RX使能控制器的配置的图。

图13是例示图11的ODT读取使能控制器的配置的图。

图14是例示图11的ODT写入使能控制器的配置的图。

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