[发明专利]用于处理基板的方法和装置

说明书

本发明构思提供了一种用于处理基板的方法和装置。在基板处理方法中，通过将处理液供应至旋转基板来形成液膜，并且润湿介质以细颗粒的形式被喷射至基板以帮助液膜的扩散。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月2日提交韩国知识专利局的、申请号为10-2020-0066635的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的方法和装置，且更具体地，涉及一种用于通过将液体供应至基板来处理基板的基板处理方法和装置。

背景技术

执行例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺、清洁工艺等各种工艺，以制造半导体元件或平坦显示面板。在这些工艺中，光刻工艺是：将光刻胶供应到半导体基板以在基板表面上形成涂覆膜，使用掩模对形成的涂覆膜进行曝光，并供应显影溶液以在基板上得到期望图案的工艺。特别地，为了实现图案的临界尺寸(CD)的按比例缩小，在涂覆工艺中形成的涂覆膜需要高水平的均匀性。

通常，如图1所示，在基板表面上形成涂覆膜的工艺通过支承基板W(诸如晶圆)的卡盘2使基板W旋转，并通过光刻胶喷嘴4将光刻胶PR供应至旋转基板W来执行。由光刻胶喷嘴4供应的光刻胶PR被供应到基板W的中心区域，并且通过由基板W的旋转产生的离心力而朝向基板W的边缘区域散布。因此，供应至基板W的光刻胶PR形成涂覆膜。

当在涂覆膜形成工艺中使用的光刻胶PR具有高粘度(例如300cP或更高)时，难以均匀地形成涂覆膜的厚度。如上所述，通过基板W的旋转产生的离心力，供应至基板W的中心区域的光刻胶PR朝向基板W的边缘区域散布。但是，当光刻胶PR具有高粘度时，光刻胶PR不能适当地朝向基板W的边缘区域散布。因此，在形成的涂覆膜中可能发生撕裂或不良涂覆。此外，涂覆膜的均匀性可能显著降低。由于基板W的旋转速度随着远离基板W的中心而逐渐增加，因此在邻近基板W的边缘区域的区域中明显地发生上述问题。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的基板处理方法和装置。

此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于改进基板上形成的液膜的均匀性。

另外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于最小化基板上形成的液膜中的诸如撕裂和/或不良涂覆的缺陷。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据一实施方案，提供了一种用于处理基板的方法。在该方法中，通过将处理液供应至旋转基板来形成液膜，并且润湿介质以细颗粒(fine particles)的形式被喷射至所述基板以帮助所述液膜的扩散。

根据一实施方案，所述润湿介质可以以雾的形式被喷射。

根据一实施方案，所述润湿介质可以朝向所述基板的边缘区域被喷射。

根据一实施方案，向所述基板供应所述润湿介质的位置可以比向所述基板供应所述处理液的位置更远离所述基板的中心。

根据一实施方案，在开始供应所述处理液且经过设定时间之后，可以喷射所述润湿介质。

根据一实施方案，在停止供应处理液之后，可以进一步喷射所述湿润介质一段设定时间(a set period of time)。

根据一实施方案，该方法可以包括供应处理液且以第一速度旋转所述基板的第一步骤；和以不同于所述第一速度的第二速度旋转所述基板的第二步骤，以及所述润湿介质可以在所述第一步骤或所述第二步骤中的至少一者中被喷射至所述基板。