[发明专利]相变存储器及相变存储器的制作方法

说明书

本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元；所述相变存储单元，包括：由上至下依次层叠设置的第一电极层、相变存储层和第二电极层；其中，所述第一电极层和所述相变存储层之间形成的第一接触界面，用于抑制所述第一电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移；所述第二电极层和所述相变存储层之间形成的第二接触界面，用于抑制所述第二电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种相变存储器及相变存储器的制作方法。

背景技术

相变存储器作为一种新兴的非易失性存储器件，同时具有动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的高速度、高寿命和快闪存储器(Flash Memory)的低成本、非易失的优点。另外，由于其低功耗和高集成度而可以用于移动设备中。

相变存储器包含许多的存储单元，每个存储单元包括堆叠设置的电极层、选通层以及相变存储层。存储单元在采用编程脉冲进行反复擦写中，在电压和热效应的作用下，存储单元的稳定性受到影响，影响相变存储器的可靠性和使用寿命。如何提高相变存储器的可靠性和使用寿命，一直是亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种相变存储器及其制作方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种相变存储器，包括：相变存储单元；

所述相变存储单元，包括：由上至下依次层叠设置的第一电极层、相变存储层和第二电极层；

其中，所述第一电极层和所述相变存储层之间形成的第一接触界面，用于抑制所述第一电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移；

所述第二电极层和所述相变存储层之间形成的第二接触界面，用于抑制所述第二电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移。

在一些实施例中，所述第一电极层的机械强度，大于所述相变存储层的机械强度；

所述第二电极层的机械强度，大于所述相变存储层的机械强度。

在一些实施例中，所述相变存储单元还包括：由上至下依次层叠设置在第一导电线和所述第二电极层之间的选通层和第三电极层；所述第一导电线与所述相变存储单元相互垂直；

其中，所述第三电极层，用于抑制所述第一导电线的组成粒子与所述选通层的组成粒子之间的迁移；

所述第二电极层，还用于抑制所述相变存储层的组成粒子与所述选通层的组成粒子之间的迁移。

在一些实施例中，所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层的组成材料包括：二硼化钛。

在一些实施例中，

所述第一电极层的厚度范围为：5nm至10nm；

所述第二电极层的厚度范围为：5nm至10nm；

所述第三电极层的厚度范围为：5nm至10nm。

在一些实施例中，所述相变存储器还包括：

第一导电线和第二导电线，其中，所述第二导电线与所述第一导电线平行于同一平面且相互垂直；

所述相变存储单元，位于所述第一导电线和所述第二导电线之间，且所述相变存储单元与所述第一导电线和所述第二导电线均垂直；

沿平行于所述第一导电线的延伸方向，所述第二电极层的第一宽度大于所述相变存储层的第二宽度；

和/或，