[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中，所述多个存储块被控制为具有设定温度；

外围电路，所述外围电路对所述多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；

温度检测电路，所述温度检测电路检测所述存储器单元阵列的温度并且基于所述存储器单元阵列的温度产生温度检测信号；以及

控制逻辑，所述控制逻辑在所述读取操作期间控制所述外围电路并且响应于所述温度检测信号而产生加热控制信号，所述加热控制信号控制所述被选存储块以具有所述设定温度。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个串中的每个串具有包括加热层、沟道层、隧道绝缘层和电荷储存层的沟道结构。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述加热层通过响应于所述加热控制信号而产生热来控制所述被选存储块以具有所述设定温度。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述加热层是金属合金层、掺杂硅层、掺杂锗层或掺杂碳层。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括加热层，所述加热层被设置在所述多个存储块中的每个存储块的顶部或底部或者被设置在所述多个存储块中的每个存储块内。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述读取操作包括温度补偿时段和数据感测时段，

其中，所述被选存储块被控制为在所述温度补偿时段中响应于所述加热控制信号而具有所述设定温度，并且

其中，所述外围电路在所述温度补偿时段结束之后的所述数据感测时段中读取所述被选存储块中存储的数据。

7.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个串，其中，所述多个存储块被控制为响应于位线电压而具有设定温度；

外围电路，所述外围电路对所述多个存储块当中的被选存储块执行读取操作；

温度检测电路，所述温度检测电路检测所述存储器单元阵列的温度并且基于所述存储器单元阵列的温度产生温度检测信号；以及

控制逻辑，所述控制逻辑在所述读取操作期间控制所述外围电路并且响应于所述温度检测信号而设置所述位线电压的电位或电流量来控制所述被选存储块以具有所述设定温度。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述多个串中的每个串具有包括加热层、沟道层、隧道绝缘层和电荷储存层的沟道结构。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述加热层和所述沟道层连接至多条位线中的任何一条。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述加热层通过响应于所述位线电压而产生热来控制所述被选存储块以具有所述设定温度。

11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述加热层是金属合金层、掺杂硅层、掺杂锗层或掺杂碳层。

12.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述读取操作包括温度补偿时段和数据感测时段，

其中，所述被选存储块被控制为在所述温度补偿时段中响应于所述位线电压而具有所述设定温度，并且

其中，所述外围电路在所述温度补偿时段结束之后的所述数据感测时段中读取所述被选存储块中存储的数据。

13.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述读取操作包括位线预充电时段和数据感测时段，

其中，所述被选存储块被控制为在所述位线预充电时段中响应于所述位线电压而具有所述设定温度，并且

其中，所述外围电路在所述位线预充电时段结束之后的所述数据感测时段中读取所述被选存储块中存储的数据。