[发明专利]宽带高增益天线结构及电子设备在审
| 申请号： | 202110614915.1 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113410618A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 赵伟;唐小兰;戴令亮;谢昱乾 | 申请（专利权）人： | 深圳市信维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q7/00;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/20;H01Q5/307 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 欧阳燕明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带 增益 天线 结构 电子设备 | ||
1.一种宽带高增益天线结构，其特征在于，包括介质基板、介质谐振器和辐射体，所述介质谐振器和辐射体设置于所述介质基板上，所述介质谐振器的形状为圆柱体形，所述辐射体的形状为圆环形；所述介质谐振器的工作模式的主模式与所述辐射体的工作模式相同；所述介质谐振器的谐振频率与所述辐射体的谐振频率不同；所述介质谐振器的底面半径为3mm，高度为3mm，介电常数为21。
2.根据权利要求1所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，所述介质谐振器的谐振频率与所述辐射体的谐振频率相差1GHz。
3.根据权利要求1所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，所述辐射体的内圆半径和外圆半径根据第一公式和第二公式确定，
所述第一公式为
所述第二公式为
f12为所述辐射体的谐振频率，a为辐射体的内圆半径，b为辐射体的外圆半径，c为光速，X12为常量，DK为介质基板的介电常数，N1为第一类贝塞尔函数，J1为第二类贝塞尔函数。
4.根据权利要求1所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，所述介质谐振器位于圆环形的辐射体的内圆中，且所述介质谐振器与所述辐射体同心。
5.根据权利要求1所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，所述介质基板包括依次层叠的第一介质层、接地层和第二介质层，所述介质谐振器和辐射体设置于所述第一介质层上；所述接地层上设有馈电缝隙，所述介质谐振器在所述接地层上的投影覆盖所述馈电缝隙。
6.根据权利要求5所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，还包括微带线，所述微带线设置于所述第二介质层远离所述接地层的一面上，所述微带线与所述馈电缝隙耦合。
7.根据权利要求6所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，所述微带线在所述接地层上的投影与所述馈电缝隙垂直相交。
8.根据权利要求1所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，所述介质谐振器的工作模式为HEM12模式，主模式为TM12模式，所述辐射体的工作模式为TM12模式。
9.根据权利要求1所述的宽带高增益天线结构，其特征在于，所述辐射体为辐射贴片。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的宽带高增益天线结构。
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