[发明专利]半导体腔室的进排气结构和半导体腔室

权利要求书

1.一种半导体腔室的进排气结构，所述进排气结构设置于所述半导体腔室的上下盖之间，其特征在于，所述进排气结构包括：环形主体和朝向所述半导体腔室内部延伸设置的环形支撑部，其中，

所述环形支撑部的内缘用于承载所述半导体腔室的预热环，且所述环形支撑部的上方为上腔室，所述环形支撑部的下方为下腔室；

所述环形主体具有向所述上腔室通气的进气通道以及将所述上腔室气体排出的排气通道；所述环形支撑部靠近所述排气通道的一侧具有连通所述上腔室和下腔室的纵向贯穿孔，所述下腔室中的气体经所述纵向贯穿孔沿所述排气通道排出。

2.根据权利要求1所述的进排气结构，其特征在于，所述环形主体包括上环体和下环体，两者对接形成所述进气通道，所述排气通道设置在所述下环体中，且所述环形支撑部与所述下环体内侧固定连接，且所述排气通道的进气口朝向所述上环体设置，所述排气通道的出气口位于所述下环体的外周壁上。

3.根据权利要求1所述的进排气结构，其特征在于，所述纵向贯穿孔的数量为多个，多个所述纵向贯穿孔在所述环形支撑部的分布区域呈弧形。

4.根据权利要求2所述的进排气结构，其特征在于，所述排气通道的进气口的数量为多个，多个所述进气口在所述下环体的分布区域呈弧形，所述排气通道的出气口为两个。

5.根据权利要求4所述的进排气结构，其特征在于，所述下环体包括可拆卸连接的第一组件和第二组件，其中，所述第一组件呈环形，所述环形支撑部设置在所述第一组件的内缘上，所述第一组件的外缘具有第一缺口部，所述第二组件呈圆弧形，所述第二组件的内缘具有第二缺口部，所述第一缺口部和所述第二缺口部相对，构成所述排气通道，且所述排气通道的出气口位于所述第二组件的外周面上。

6.根据权利要求5所述的进排气结构，其特征在于，所述环形支撑部与所述第一组件一体成型设置，且二者在所述排气通道所在侧的朝向所述上环体的一侧包括三个台阶面，其中第一台阶面用于承载所述预热环，第二台阶面设有所述纵向贯穿孔，第三台阶面设有多个第一半圆缺口，所述第一组件朝向所述第二组件的一面还设有第一凹部，多个所述第一半圆缺口和所述第一凹部构成所述第一缺口部；所述第二组件的朝向所述上环体的一侧的设有多个第二半圆缺口，所述第二组件的朝向朝向所述第一组件的一面还设有第二凹部，多个所述第二半圆缺口和所述第二凹部构成所述第二缺口部，所述出气口与所述第二凹部连通。

7.根据权利要求5所述的进排气结构，其特征在于，所述第一组件和所述第二组件还包括相互配合的卡接结构，所述第一组件和所述第二组件通过所述卡接结构可拆卸连接。

8.根据权利要求7所述的进排气结构，其特征在于，所述卡接结构包括：设置于所述第一组件上的第一卡钩，设置于所述第二组件上的第二卡钩，所述第一卡钩和所述第二卡钩相互卡接。

9.一种半导体腔室，其特征在于，包括上盖、下盖、设置在所述上盖与所述下盖之间的进排气结构，旋转基座以及预热环，其中，所述上盖、所述进排气结构以及所述下盖三者形成所述半导体腔室的腔体，所述旋转基座以及所述预热环设置在所述腔体中，所述进排气结构采用如权利要求1至8任一项的所述的进排气结构。

10.根据权利要求9所述的半导体腔室，其特征在于，所述旋转基座上还设置有托盘，所述预热环与所述托盘之间具有预设间隙。