[发明专利]一种半导体器件表面金属化工艺在审
| 申请号： | 202110616313.X | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113584484A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄亚发;张俊 | 申请（专利权）人： | 江苏东晨电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C23C14/16;C23C14/24;C23C18/36;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 高爽 |
| 地址： | 214205 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 表面 金属化 工艺 | ||
1.一种半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：
S1、对待金属化的硅片进行表面处理；
S2、对表面处理后的硅片进行化学镀镍处理，在硅表面形成镍磷金属层；
S3、将带有镍磷金属层的硅片放入高温炉中，通入保护气体进行高温合金，在硅片表面形成合金层；
S4、采用蒸发银工艺对带有合金层的硅片进行真空蒸发，在合金层外形成银金属层，完成金属化工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，步骤S2中，化学镀镍处理具体为：在30-150℃下将表面处理后的硅片放入镀镍水中进行氧化还原反应。
3.根据权利要求2所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，化学镀镍处理的温度是80-100℃。
4.根据权利要求1所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，镀镍水采用酸性镀镍液或者碱性镀镍液。
5.根据权利要求1所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，镀镍水包括以下重量份的物质：氯化镍1-80份、氯化铵20-90份、柠檬酸45-110份、次亚磷酸钠1-50份、水750-900份。
6.根据权利要求5所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，镀镍水包括以下重量份的物质：氯化镍3-63份、氯化铵25-85份、柠檬酸42-102份、次亚磷酸钠1-41份、水800-860份。
7.根据权利要求1所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，步骤S3中，高温炉的炉温控制为450℃-650℃。
8.根据权利要求1所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，步骤S4之后，进行光刻，最后去除多余的金属和光刻胶，完成半导体器件的制备。
9.根据权利要求1所述的半导体器件表面金属化工艺，其特征在于，步骤S1中，表面处理后，硅片表面粗糙度为1-50微米左右。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏东晨电子科技有限公司，未经江苏东晨电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110616313.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
