[发明专利]骨传导传感器芯片

权利要求书

1.一种骨传导传感器芯片，其特征在于，包括：

振动膜；

质量块，位于所述振动膜的一侧；以及

止挡结构，用于限制所述质量块在平行于所述振动膜的方向上的振动幅度。

2.根据权利要求1所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，所述振动膜包括可动区域和环绕所述可动区域的固定区域；

所述止挡结构包括共平面的第一止挡层和第二止挡层，所述第一止挡层位于所述可动区域和所述质量块之间，所述第二止挡层与所述固定区域叠置；所述第一止挡层和所述第二止挡层之间具有第一间隔。

3.根据权利要求2所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，所述第一止挡层和所述第二止挡层的材料均为多晶硅。

4.根据权利要求2或3所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，还包括牺牲层，所述牺牲层包括间隔设置的中央区域和环绕所述中央区域的边缘区域；所述中央区域位于所述可动区域和所述第一止挡层之间，所述边缘区域位于所述固定区域和所述第二止挡层之间；所述中央区域和所述边缘区域之间具有第二间隔，所述第二间隔大于所述第一间隔，并与所述第一间隔连通。

5.根据权利要求2或3所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，还包括支撑结构；所述支撑结构包括第一空腔，所述第一空腔包括开口；所述质量块位于所述第一空腔内，所述振动膜的所述可动区域覆盖所述开口，所述固定区域与所述支撑结构连接。

6.根据权利要求5所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，在经过所述质量块的中心线的截面上，所述第一间隔占所述第一空腔的长度的比例大于零并且小于或等于1/10。

7.根据权利要求1所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，所述止挡结构包括第一空腔，所述质量块位于所述第一空腔内，所述质量块的侧壁和所述第一空腔的壁体之间间隔设置。

8.根据权利要求7所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，在经过所述质量块的中心线的截面上，所述质量块的侧壁和所述第一空腔的壁体之间的最小间隔占所述第一空腔的长度的比例大于零并且小于或等于1/10。

9.根据权利要求7或8所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，所述质量块包括主体部和位于所述主体部的侧壁上的至少一个凸起。

10.根据权利要求7或8所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，所述质量块包括第二空腔。

11.根据权利要求7或8任一所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，所述第一空腔包括开口；所述振动膜包括可动区域和环绕所述可动区域的边缘区域；所述可动区域覆盖所述开口，所述固定区域与所述止挡结构连接。

12.根据权利要求1所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，还包括位于所述质量块的远离所述振动膜一侧的底板；所述止挡结构包括设置在所述底板的靠近所述质量块的表面上的至少一个凸起，每个所述凸起的端部所在表面穿过所述质量块；在平行于所述振动膜的方向上，每个所述凸起的侧壁和所述质量块的侧壁之间具有间隔。

13.根据权利要求12所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，所述凸起的材料包括硅、氧化硅、胶材中的任一种。

14.根据权利要求12或13所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，还包括支撑结构，所述支撑结构包括两端开口的第一空腔，所述质量块位于所述第一空腔内；所述支撑结构的一端与所述振动膜连接，另一端与所述底板连接。

15.根据权利要求14所述的骨传导传感器芯片，其特征在于，在经过所述质量块的中心线的截面上，每个所述凸起的侧壁和所述质量块的侧壁之间的间隔占所述第一空腔的长度的比例大于零并且小于或等于1/10。