[发明专利]存储器刷新调节方法、装置、调节电路及存储器件

说明书

本发明公开了一种存储器刷新调节方法、装置、调节电路以及存储器件，通过复用每个存储区域的ECC模块产生的报错信号，分别对每个存储区域中的数据存储错误进行统计；分别检测每个存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；将目标存储区域的刷新控制频率从默认频率调整为设定频率，同时启动预设的计时器，并将目标存储区域对应的当前错误统计数量清零；直至计时时间达到预设时长，再将目标存储区域的刷新控制频率恢复为默认频率。这样能够针对存在数据失效风险的存储区域进行刷新效率调整，有利于改善DRAM存储阵列的retention问题。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器刷新调节方法、装置、调节电路以及存储器件。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器)是用电容来存储，即使通着电，随着时间和温度的变化，信息也会丢失，因此，必须每隔一段时间刷新一次，这个时间称为刷新周期。

DRAM存储阵列中存储单元的电荷保持时间与温度有强相关，漏电流在高温下更易导致存储失效。因此，高温容易导致漏电增大，DRAM存储阵列也就更易出现retention问题，带来片内系统(SIP)工作的可靠性和稳定性风险。尤其是对于3D封装形式的DRAM存储器，片内更多的互联线以及更多层的堆叠芯片导致复杂的片内热分布与热特性，受温度影响导致的retention问题更为显著。

目前，对于DRAM存储阵列的retention问题，常用的解决方式有通过片内ECC(Error Checking and Correcting，错误检查与纠正)检测以及纠正数据存储错误，但是ECC纠错能力有限，当retention失效较多时，就无法纠正，导致DRAM存储阵列仍然存在较大的数据失效风险。

发明内容

本申请实施例提供了一种存储器刷新调节方法、装置、调节电路以及存储器件，能够针对性地对存在数据失效风险的存储区域进行刷新调整，提高该存储区域的内部刷新效率，降低数据失效风险，有利于改善DRAM存储阵列的retention问题，提升片内系统工作的可靠性和稳定性。

第一方面，本申请实施例提供了一种存储器刷新调节方法，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块。所述方法包括：

分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息，并基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计；

分别检测每个所述存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；

将所述目标存储区域的刷新控制频率从默认频率调整为设定频率，并启动预设的计时器，并将所述目标存储区域对应的当前错误统计数量清零，其中，所述刷新控制频率为存储区域每接收到一个刷新指令时执行的刷新次数，所述设定频率大于所述默认频率；

若计时时间达到预设时长，则将所述目标存储区域的刷新控制频率恢复为所述默认频率。

进一步地，所述基于所述报错信息分别对每个所述存储区域中的数据存储错误进行统计，包括：

基于所述报错信息确定所述存储区域的ECC模块检测到的错误类型；

若所述错误类型为可修复错误类型，则将所述存储区域的累计错误数量增加第一预设个数；

若所述错误类型为不可修复错误，则将所述存储区域的累计错误数量增加第二预设个数，其中，所述第二预设个数大于所述第一预设个数。

进一步地，所述将所述目标存储区域的刷新控制频率从默认频率调整为设定频率，包括：