[发明专利]一种FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜，其特征在于：

所述FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜的组元为Fe、Co、Ni、Cr、Ti、V，其中各组元按照等摩尔比构成即为：Fe：Co：Ni：Cr：Ti：V＝1:1:1:1:1:1。

2.根据权利要求1所述的FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜，其特征在于：

所述FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜呈非晶态结构，厚度为176nm～200nm。

3.一种权利要求1或2所述的FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1：选靶材

所述靶材为纯度99.99wt.％的Fe、Co、Ni、Cr、Ti和V六种元素的圆盘形FeCoNiCrTiV高熵合金复合型靶材，其组成元素原子比为Fe：Co：Ni：Cr：Ti：V＝1:1:1:1:1:1at.％；靶材直径为76.2mm，靶材厚度为3mm；靶材绑定3mm铜背靶；

步骤2：备基底

2a、用玻璃刀将单面抛光过的硅片{100}切成同尺寸的小硅片；

2b、将切好的硅片放入去离子水中，超声振动清洗，取出后用吹风机烘干硅片；

2c、将烘干后的硅片用丙酮溶液反复擦拭两面，去除未彻底清洁的油脂和其他污渍，擦干；

2d、将擦干的硅片放入酒精溶液中，超声振动清洗，真空烘箱干燥；

2e、将烘干后的硅基底片和高熵合金靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上；

步骤3：沉积薄膜

3a、关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空，通入氩气作为工作气体；

3b、关闭样品台阀门和蒸发源阀门，调整工作气压，对靶材进行预溅射，去除高熵合金靶材表面氧化物和污染物；

3c、持续转动样品台，打开样品台阀门和蒸发阀门进行溅射，溅射时间20min～30min；溅射结束，取出得到的高熵合金薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：

步骤2a中，小硅片的尺寸为20mm×20mm×3mm。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：

步骤3a中，真空室抽真空至2×10^-4Pa，通入99.99％的高纯度氩气作为工作气体。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：

步骤3b中，工作气压设置为3.40Pa，预溅射时间为10min。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：

步骤3c中，通入99.99％高纯度的氩气，流量设定为20sccm，溅射功率为100W。