[发明专利]显示面板及其制作方法和显示装置

说明书

本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置，涉及显示技术领域，为了在简化显示面板制造工艺的同时，保证氧化物薄膜晶体管的性能。该显示面板，包括基底；位于基底一侧的像素电路结构层，像素电路结构层包括第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管包括第二有源层和与第二有源层电连接的至少一个刻蚀阻挡结构；第二有源层的材料包含氧化物，且第二有源层与第一有源层不同层设置。本发明提供的显示面板，通过在第二有源层的两端设置刻蚀阻挡结构，从而阻挡氟化氢对氧化物薄膜晶体管的有源层的刻蚀损伤，因此可以保证金属氧化物薄膜晶体管的特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置中的显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的分辨率、功耗和画质的要求越来越高。为了满足这些要求，目前经常采用低温多晶氧化物(英文：Low TemperaturePolycrystalline Oxide，简称：LTPO)技术，来制作显示产品的驱动背板中的像素驱动电路，这种LTPO技术即：同时利用低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-siliconTFT，简称LTPS TFT)和金属氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)作为像素驱动电路中的功能管，由于低温多晶硅薄膜晶体管迁移率高，可以加快对像素电容的充电速度，金属氧化物薄膜晶体管具有更低的泄漏电流，将这两种晶体管的优势相结合，有助于高分辨率、低功耗、高画质的显示产品的开发。

但是在制作低温多晶硅薄膜晶体管时，需要对其有源层进行氟化氢(HF)清洗，以使有源层与源漏极形成良好的欧姆接触。然而，此时会对金属氧化物薄膜晶体管的有源层产生影响，严重的话甚至会把金属氧化物薄膜晶体管的有源层完全刻掉，从而影响金属氧化物薄膜晶体管的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法和显示装置，用于解决解决现有技术中采用LTPO技术制作像素电路结构层，通过一道工艺来形成低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的过孔时，在对低温多晶硅薄膜晶体管的有源层进行氟化氢清洗时，会对金属氧化物薄膜晶体管的有源层产生刻蚀损伤，而影响金属氧化物薄膜晶体管的特性的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一方面，本发明的一些实施例提供了一种显示面板，包括：基底；位于所述基底一侧的像素电路结构层，所述像素电路结构层包括：第一晶体管，包括第一有源层，所述第一有源层的材料包含硅；第二晶体管，包括第二有源层、与所述第二有源层电连接的至少一个刻蚀阻挡结构；所述第二有源层的材料包含氧化物，且所述第二有源层与所述第一有源层不同层设置。

在一些实施例中，所述刻蚀阻挡结构包括靠近所述第二有源层的第一部分和远离所述第二有源层的第二部分，所述第二有源层与每个所述第一部分的远离所述基底的表面电连接。

在一些实施例中，所述像素电路结构层还包括：至少一层第一绝缘层，位于所述第二有源层及所述刻蚀阻挡结构远离所述基底的一侧；第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层，暴露出所述第二部分；第一源极和第一漏极，位于所述第一绝缘层远离所述基底的一侧，所述第一源极通过一个所述第一过孔连接至一个所述第二部分，所述第一漏极通过另一个所述第一过孔连接至另一个所述第二部分。

在一些实施例中，所述像素电路结构层还包括：至少一层第二绝缘层，位于所述第一有源层与所述第二有源层之间；第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以使所述第二过孔暴露出所述第一有源层的源极区和所述第一有源层的漏极区；第二源极和第二漏极，位于所述第一绝缘层远离所述基底的一侧，所述第一源极通过一个所述第二过孔连接至所述第一有源层的源极区，所述第一漏极通过另一个所述第二过孔连接至所述第一有源层的漏极区。

在一些实施例中，所述显示面板包括显示区和位于所述显示区一侧的弯折区；所述像素电路结构层还包括：弯折槽，贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。