[发明专利]具有阈值开关选择器的交叉点存储器中的断电恢复

权利要求书

1.一种装置，包括：

控制电路，所述控制电路被配置为连接到多个非易失性存储器单元的一个或多个阵列，每个存储器单元包括与阈值开关选择器串联连接的可编程电阻式元件，所述阈值开关选择器被配置为响应于施加超过对应阈值电压的电压电平而变得导电，所述控制电路被配置为：

针对访问操作使所述一个或多个阵列上电；

在使所述一个或多个阵列上电之后，对所述阵列的所述存储器单元中的一个或多个存储器单元执行所述访问操作；

使所述一个或多个阵列掉电；

接着前一次使所述一个或多个阵列掉电在为了执行访问操作而使所述一个或多个阵列上电之后，且在执行所述访问操作之前，确定所述阈值选择设备的所述阈值电压是否表现出过度漂移；以及

响应于确定所述阈值选择设备的所述阈值电压表现出过度漂移，将数据重新加载到所述一个或多个阵列。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路形成在控制管芯上，所述装置还包括：

存储器管芯，所述存储器管芯包括非易失性存储器单元的所述一个或多个阵列，所述存储器管芯与所述控制管芯单独形成并且接合到所述控制管芯。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括所述一个或多个存储器阵列，所述一个或多个存储器阵列中的每一个存储器阵列包括：

一条或多条第一导电线；

一条或多条第二导电线；和

所述多个存储器单元，所述多个存储器单元各自连接在所述第一导电线中的对应一条与所述第二导电线中的一条之间。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述电阻式元件是磁阻式随机存取存储器(MRAM)存储器设备。

5.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述电阻式元件是电阻式随机存取存储器(ReRAM)存储器设备。

6.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述电阻元件是相变存储器(PCM)存储器设备。

7.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

向所选择的多个所述存储器单元施加第一读取电压；

确定所选择的多个所述存储器单元是否响应于所施加的第一读取电压而导电；以及

基于所选择的多个所述存储器单元是否响应于所施加的第一读取电压而导电来确定所述阈值选择设备的所述阈值电压是否表现出过度漂移。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一读取电压是比用于读取操作中以确定存储在所述存储器单元中的数据状态的电压电平更低的电压电平。

9.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一读取电压是比用于读取操作中以确定存储在所述存储器单元中的数据状态的电压电平更高的电压电平。

10.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

对所述存储器单元的子集执行读取操作；

将从所述存储器单元的子集读取的数据与已知模式进行比较；以及

基于将从所述存储器单元的子集读取的所述数据与所述已知模式进行比较，确定所述阈值选择设备的所述阈值电压是否表现出过度漂移。

11.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

确定为了执行访问操作使所述一个或多个阵列上电与前一次使所述一个或多个阵列掉电之间的时间的时间值；以及

基于所确定的时间值来确定所述阈值选择设备的所述阈值电压是否表现出过度漂移。