[发明专利]一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件及其制造方法

权利要求书

1.一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：设计一种16层以上电路的微波段多功能板，包括下层数字层和上层微波层；

S2：下层数字层采用HDI积层工艺，积层以下包括图形制作好的芯板、半固化片、导电浆料，采用任意层互连的方式一次性制作；

S3：上层微波层使用微波PCB工艺制造，与芯片电器互连的图形使用LDI配合真空蚀刻的方法，形成与芯片焊端匹配的焊盘尺寸；

S4：内埋芯片与上层微波层连通，并对焊端位置进行保护，内埋芯片顶面贴有具有柔性和弹性的导热胶膜；

S5：通过任意层互连方式将下层数字层和上层微波层合而为一，通过真空塞孔机在热固性半固化片的孔内塞入导电浆料，在热风烘箱中预固化，然后在真空层压机中完成多功能板的最终压合，使微波数字层粘合，并完成导电浆料的完全固化形成贯穿微波和数字电路的垂直互联通路。

2.如权利要求1所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中数字层的层数大于等于6层，微波层的层数大于等于10层。

3.如权利要求1所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中微波段多功能板包括芯板、粘接片、铜箔，所述芯板厚度为0.127～0.508mm，所述粘接片厚度为0.1mm，所述铜箔厚度为18μm或35μm。

4.如权利要求1所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中的导电浆料为电子铜浆或电子银浆，采用传统塞孔工艺，厚径比小于10:1。

5.如权利要求1所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3中微波多功能板微波层的焊盘位置经过表面涂镀，涂镀材料为镀金、化金、镀镍金中的任意一种。

6.如权利要求5所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述镀镍金涂镀层的镍厚为3～5μm，金厚为0.13～0.45mm。

7.如权利要求1所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中焊接芯片时，焊料的熔点高于230℃。

8.如权利要求1所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中粘接芯片时，导电胶的固化温度低于150℃。

9.如权利要求1所述的一种任意层互联内埋芯片微波多功能组件的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中预固化的温度≤120℃，预固化的时间≤3h，压合温度≤180℃，压合时间≤4h。

10.一种采用如权利要求1～9任一项所述的制造方法制得的任意层互联内埋芯片微波多功能组件。