[发明专利]光刻系统与在光刻系统中产生层流的设备

权利要求书

1.一种光刻系统，其特征在于，包括：

辐射源，被配置成产生电磁辐射；

光掩模；

入射通道，位于所述辐射源与所述光掩模之间，用于使所述电磁辐射朝所述光掩模行进；

第一喷嘴，被配置成在所述光掩模与所述入射通道的出口端口之间产生第一微粒屏蔽体；以及

第二喷嘴，被配置成在所述入射通道内产生第二微粒屏蔽体。

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，其中所述第二微粒屏蔽体具有比所述第一微粒屏蔽体的厚度小的厚度。

3.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，其中所述第一微粒屏蔽体实质上平行于所述光掩模，且所述第二微粒屏蔽体相对于所述光掩模倾斜。

4.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，还包括：

掩模版掩蔽叶片，位于所述光掩模与所述入射通道之间，其中所述第一微粒屏蔽体位于所述光掩模与所述掩模版掩蔽叶片之间。

5.一种光刻系统，其特征在于，包括：

极紫外辐射源，被配置成产生极紫外辐射；

极紫外掩模版；

第一类型喷嘴，靠近所述极紫外掩模版；以及

多个第二类型喷嘴，靠近所述极紫外辐射源，所述第二类型喷嘴与所述第一类型喷嘴不同，

其中所述第一类型喷嘴及所述第二类型喷嘴被配置成在所述极紫外辐射的传播路径中产生微粒屏蔽体。

6.根据权利要求5所述的光刻系统，其特征在于，还包括：

多个抽吸嘴，被配置成与所述第二类型喷嘴配对地产生所述微粒屏蔽体。

7.根据权利要求5所述的光刻系统，其特征在于，其中在由所述第二类型喷嘴产生的所述微粒屏蔽体之中，有至少一个微粒屏蔽体相对于其他微粒屏蔽体倾斜一角度。

8.根据权利要求5所述的光刻系统，其特征在于，其中由所述第二类型喷嘴产生的所述微粒屏蔽体具有比由所述第一类型喷嘴产生的所述微粒屏蔽体高的气态流动速度，或具有比由所述第一类型喷嘴产生的所述微粒屏蔽体大的粒径。

9.一种在光刻系统中产生层流的设备，其特征在于，包括：

泵；以及

喷嘴，所述喷嘴包括侧壁及分流器，所述侧壁界定具有输入端口及输出端口的气体连通通道，所述分流器将所述气体连通通道分成两个子通道，

其中所述分流器突出出所述输出端口。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，其中所述分流器的突出出所述输出端口的部分具有侧壁表面，所述侧壁表面被配置成将流出所述两个子通道的两个气态流合并成所述层流。