[发明专利]配有热调节限制件的电磁处理单元

权利要求书

1.电磁处理单元(8)，其具有：

-主体(9)，主体具有正面(10)，

-光发射装置(21)，光发射装置具有多个发光源，发光源是激光二极管，光发射装置(21)在主体(9)上安装成向前辐射，

-流体回路(24)，流体回路配置在主体(9)内，用于光发射装置(21)的热调节，

-至少一个限制件(44，60，64，71)，限制件由不透发射光的材料制成，限制件有暴露于发射光的限制面(47，61，74，79)，

其中，流体回路(24)具有在主体(9)中形成的至少一个引入通道(25)、以及在主体(9)中形成的至少一个排出通道(26)，所述限制件(44，60，64，71)安装在主体(9)上，以与主体进行热接触，限制面(47，61，74，79)的热调节由流体回路(24)提供；

其中，主体(9)具有中空的前壳体(15)，前壳体形成于主体(9)的正面(10)中，光发射装置(21)完全地接纳在前壳体(15)中；

其中，电磁处理单元(8)还具有使前壳体(15)具有水密性的透明窗面板(53)和弹性密封圈(54)，电磁处理单元(8)还具有干燥室(55)，干燥室与前壳体(15)流体连通，从而限制光发射装置(21)由空气湿度造成的污染危险。

2.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，限制件(44，60，64，71)由提供紧密接触的固定件固定于主体(9)。

3.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是围绕光发射装置(21)的反射框(44)；并且，反射框(44)的一个限制面是向前定向的光学反射面(47)。

4.根据权利要求3所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，反射框(44)具有一个与光学反射面(47)相对的后缘(50)，所述后缘(50)与主体(9)的正面(10)接触。

5.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是安装在光发射装置(21)下面的下部反射器(60)；并且，下部反射器(60)的一个限制面是向上定向的光学反射面(61)。

6.根据权利要求5所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，下部反射器(60)由一个定位板(64)安装在主体(9)上，定位板(64)配有校准下部反射器(60)相对于主体(9)的竖直位置的校准装置，所述定位板(64)用作主体(9)与下部反射器(60)之间的热桥。

7.根据权利要求6所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，定位板(64)具有向前定向的光学反射面(70)。

8.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是上部吸收器(71)，上部吸收器安装在光发射装置(21)之上；并且，上部吸收器(71)的一个限制面是向前定向的光学吸收面(74)。

9.根据权利要求8所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，上部吸收器(71)具有向下定向的光学反射下边缘(79)，光学反射下边缘定位在光发射装置(21)的上边缘附近。

10.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，光发射装置(21)接纳于在主体(9)的正面(10)中形成的中空的前壳体(15)中。

11.根据权利要求10所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，所述引入通道(25)一方面通过引入孔(29)通到前壳体(15)中，另一方面通过入口(30)通到主体(9)的后端面(11)上。

12.根据权利要求11所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，排出通道(26)平行于引入通道(25)，所述排出通道(26)一方面通过排出孔(35)通到前壳体(15)中，另一方面通过出口(36)通到主体(9)的后端面(11)上。