[发明专利]双MCU隔离驱动MOS管的电路

权利要求书

1.一种双MCU隔离驱动MOS管的电路，其特征在于：

主要由双MCU组成的控制驱动模块M1、推挽输出电路M2、二极管信号隔离模块M3、MOS关断快速放电模块M4、低边MOS管驱动电机模块M5的五部分所组成；

控制驱动模块M1包括MCU1与MCU2，其中MCU1的控制端口GPIO1连接到推挽输出电路M2中的MOS管Q8的栅极G，MCU2的控制端口GPIO2连接到推挽输出电路M2中MOS管Q9的栅极G，MCU1与MCU2之间通信连接；推挽输出电路M2包括MOS管Q4～Q9，其中MOS管Q4的漏极d连接到电源VBAT1，MOS管Q4的源极S分别连接到MOS管Q5的漏极d与二极管信号隔离模块M3的二极管D4的阳极A，MOS管Q5的源极s接地，MOS管Q8的漏极d分别连接到MOS管Q4和MOS管Q5的栅极g，MOS管Q8的漏极d经电阻R6连接到电源VBAT1；MOS管Q6的漏极d连接到电源VBAT1，MOS管Q6的源极S分别连接到MOS管Q7的漏极d与二极管信号隔离模块M3的二极管D6的阳极A，MOS管Q7的源极s接地，MOS管Q9的漏极d分别连接到MOS管Q6的栅极g、MOS管Q7的栅极g，MOS管Q9的漏极d经电阻R7连接到电源VBAT1；

二极管信号隔离模块M3包括二极管D4与二极管D6，其中二极管D4与二极管D6的阴极C均连接到MOS关断快速放电模块M4的电阻R1和电阻R2之间；MOS关断快速放电模块M4包括电阻R1～R5和三极管Q1、Q2；电阻R4、二极管D3、电阻R1、电阻R2依次串联在三极管Q1的基极b和集电极c连之间，电阻R2连接在三极管Q1的基极b和发射极e之间，电阻R5连接在三极管Q2的集电极c和发射极e之间，三极管Q2的基极b和三极管Q1的集电极c连接，电阻R4和二极管D3之间引出和三极管Q2的集电极c连接，三极管Q1和三极管Q2的发射极e接地，三极管Q2的集电极c和低边MOS管驱动电机模块M5的电机MG的控制端连接；

低边MOS管驱动电机模块M5包括电机MG与MOS管Q3，其中MOS管Q3的源端s接地，MOS管Q3的漏极d接电机MG的2号引脚，电机MG的1号引脚连接电源VBAT2。

2.根据权利要求1所述的一种双MCU隔离驱动MOS管的电路，其特征在于：所述的二极管D4、二极管D6、二极管D3器件均为肖特基二极管。

3.根据权利要求1所述的一种双MCU隔离驱动MOS管的电路，其特征在于：所述的MOS管Q4、Q6为PMOS管，MOS管Q5、Q7、Q8、Q9为NMOS管，三极管Q1、Q2为NPN型，MOS管Q3为功率NMOS管。

4.根据权利要求1所述的一种双MCU隔离驱动MOS管的电路，其特征在于：所述的电机MG为直流有刷电机。

5.根据权利要求1所述的一种双MCU隔离驱动MOS管的电路，其特征在于：所述的MCU1的控制端口GPIO1与MCU2的控制端口GPIO2均驱动输出高电平为5V，低电平为0V，电源VBAT1与电源VBAT2的电压为+12V。

6.根据权利要求1所述的一种双MCU隔离驱动MOS管的电路，其特征在于：所述的MOS关断快速放电模块M4器件布局放置紧靠低边MOS管驱动电机模块M5。