[发明专利]发光二极管结构及其制作方法在审
申请号: | 202110622862.8 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113380934A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 赖穆人;刘召忠;蓝文新;李南平;林辉;杨小利 | 申请(专利权)人: | 江西新正耀光学研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/64;H01L33/00 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 341700 江西省赣州*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管结构,其特征在于,至少包括:
衬底;
氮化物化合物半导体结构层,所述氮化物化合物半导体结构层位于所述衬底的一侧表面,所述氮化物化合物半导体结构层包括凸起部和至少一个边缘部,所述边缘部位于所述凸起部的侧面;
N侧欧姆接触金属层,所述N侧欧姆接触金属层位于所述边缘部远离所述衬底一侧的部分表面;
P侧透光欧姆接触层,所述P侧透光欧姆接触层位于所述凸起部远离所述衬底一侧的表面;
氮氧化铝保护层,所述氮氧化铝保护层包括第一氮氧化铝保护层和第二氮氧化铝保护层,所述第二氮氧化铝保护层位于所述N侧欧姆接触金属层远离所述衬底一侧的部分区域并沿所述N侧欧姆接触金属层的侧面延拓至所述边缘部的表面;所述第一氮氧化铝保护层位于所述P侧透光欧姆接触层远离所述衬底一侧的部分区域并沿所述凸起部的侧面延拓至所述边缘部的表面;
金属焊垫,所述金属焊垫包括第一金属焊垫和第二金属焊垫,所述第一金属焊垫位于所述P侧透光欧姆接触层及所述第一氧化铝保护层远离所述衬底的一侧,所述第二金属焊垫位于所述N侧欧姆接触金属层及所述第二氧化铝保护层远离所述衬底的一侧。
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,还包括金属反射层,所述金属反射层位于所述P侧透光欧姆接触层远离所述衬底的一侧表面。
3.根据权利要求2所述的发光二极管结构,其特征在于,还包括金属连接层,所述金属连接层位于所述氮化物化合物半导体结构层远离所述衬底的一侧;
所述金属连接层位于所述金属反射层和所述N侧欧姆接触金属层远离所述衬底的一侧表面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,所述氮化物化合物半导体结构层包括:
低温AlN层,所述低温AlN层位于所述衬底的一侧表面;
高温AlN层,所述高温AlN层位于所述低温AlN层远离所述衬底的一侧;
N型AlaGa1-aN欧姆接触层,所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层位于所述高温AlN层远离所述低温AlN层的一侧;所述N侧欧姆接触金属层位于所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层远离所述高温AlN层一侧的部分表面;
AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层,所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层位于所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层远离所述高温AlN层一侧的剩余部分表面;
电子阻挡层,所述电子阻挡层位于所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层远离所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层的一侧;
P型AldGa1-dN欧姆接触层,所述P型AldGa1-dN欧姆接触层位于所述电子阻挡层远离所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层的一侧。
5.根据权利要求4所述的发光二极管结构,其特征在于,所述部分N型AlaGa1-aN欧姆接触层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层、所述电子阻挡层、所述P型AldGa1-dN欧姆接触层形成所述凸起部;所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层中未形成所述凸起部的部分形成所述边缘部。
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