[发明专利]一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器

权利要求书

1.一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器，其特征在于，包括外壳、SICMOSEFET分立器件总成、驱动电路板、控制电路板、电容模块、滤波模块和水冷模块，所述SICMOSEFET分立器件总成、所述驱动电路板、所述控制电路板、所述滤波模块和所述水冷模块均安装于所述外壳，其中：

所述SIC MOSEFET分立器件总成分别与所述水冷模块、所述驱动电路板、所述控制电路板和所述电容模块连接，所述电容模块与所述滤波模块电性连接；

所述SIC MOSEFET分立器件总成包括数量为n1的SIC MOSEFET分立器件全桥并联结构，所述SIC MOSEFET分立器件全桥并联结构包括数量为n2的SIC MOSEFET分立器件全桥结构，所述SIC MOSEFET分立器件全桥结构与所述SIC MOSEFET分立器件全桥结构从结构和电气之间均进行并联连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器，其特征在于，所述SIC MOSEFET分立器件总成包括U相SIC MOSEFET分立器件全桥并联结、V相SICMOSEFET分立器件全桥并联结和W相SIC MOSEFET分立器件全桥并联结，所述U相SICMOSEFET分立器件全桥并联结、所述V相SIC MOSEFET分立器件全桥并联结和所述W相SICMOSEFET分立器件全桥并联结均设有三个并排排布的SIC MOSEFET分立器件全桥结构；

所述SIC MOSEFET分立器件全桥结构包括第一SIC分立器件和第二SIC分立器件，所述第一SIC分立器件和所述第二SIC分立器件电性连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器，其特征在于，所述U相SIC MOSEFET分立器件全桥并联结还包括U相交流铜排端子，所述U相交流铜排端子分别与三个并排排布的SIC MOSEFET分立器件全桥结构连接；

所述V相SIC MOSEFET分立器件全桥并联结还包括V相交流铜排端子，所述V相交流铜排端子分别与三个并排排布的SIC MOSEFET分立器件全桥结构连接；

所述W相SIC MOSEFET分立器件全桥并联结还包括W相交流铜排端子，所述W相交流铜排端子分别与三个并排排布的SIC MOSEFET分立器件全桥结构连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器，其特征在于，所述水冷模块为并联式水道结构，所述水冷模块包括散热基板、第一散热翅片、第二散热翅片和水道底板，每个所述SIC MOSEFET分立器件全桥结构的散热底面与所述散热基板连接，所述散热基板远离所述第一SIC分立器件的一侧通过第一散热翅片与水道底板连接，所述散热基板远离所述第二SIC分立器件的一侧通过第二散热翅片与水道底板连接。

5.根据权利要求4所述的一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器，其特征在于，所述外壳包括独立设置的SIC MOSEFET分立器件总成腔体和滤波模块腔体，所述SICMOSEFET分立器件总成内置于所述SIC MOSEFET分立器件总成腔体并且所述滤波模块内置于所述滤波腔体，所述驱动电路板和所述控制电路板之间设有金属绝缘屏蔽板。

6.根据权利要求5所述的一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器，其特征在于，所述电容模块包括电容主体、电容输入铜排、电容输出正极铜排和电容输出负极铜排，所述电容输入铜排通过高压接插件与直流电流电性连接，所述电容输出正极铜排与所述第一SIC分立器件电性连接，所述电容输出负极铜排与负极铜排电性连接，所述负极铜排远离所述电容输出铜排的一端与所述第二SIC分立器件电性连接。

7.根据权利要求4-6任一项所述的一种基于SIC功率半导体单管并联的电力电子控制器，其特征在于，所述外壳包括低压信号接口、直流高压接口、交流三相电机接口、冷却水道出水口、冷却水道进水口、压力平衡阀和安装脚，其中：

所述直流高压接口与高压接插件连接，所述冷却水道出水口和所述冷却水道进水口分别与所述水道底板连接。