[发明专利]一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法在审
申请号: | 202110624638.2 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113380605A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 黄建;江海波;鄢真真;雷仁方;钟玉杰;李睿智 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/306 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 卢胜斌 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 机械 研磨 辅助 腐蚀 制作方法 | ||
1.一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
S1、对硅晶圆进行清洗;
S2、以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理,在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤;
S3、对硅晶圆表面进行清洗;
S4、采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构;
S5、对硅晶圆进行清洗,完成黑硅制备。
2.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,通过机械研磨布粗糙度选择、研磨液配比调节、研磨设备旋转速度以及研磨时间控制硅晶圆表面的粗糙表面与微损伤的粗糙程度和损伤程度。
3.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺进行前处理,形成粗糙表面与微损伤,研磨液至少包括磨料、有机碱和螯合剂,在形成粗糙表面与微损伤过程中通过调节研磨液中磨料和有机碱的比例控制粗糙度和损伤程度。
4.根据权利要求3所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,含有金刚砂的减薄垫中金刚砂的直径为0.5μm~9μm。
5.根据权利要求3所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,SiO2磨料颗粒直径为0.07μm~1μm。
6.根据权利要求3所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,研磨液PH值为10~12。
7.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,步骤S4中采用的混合液成分包括磷酸、硝酸、硫酸以及氢氟酸的混合液,括磷酸:硝酸:硫酸:氢氟酸配比为10%~25%:20%~50%:5%~25%:1%~30%。
8.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,步骤S4中进行湿法腐蚀时,腐蚀温度为20℃~60℃,腐蚀时间0.5~30分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造