[发明专利]一种兼容热致变发射率和频率选择散热的红外隐身超结构

权利要求书

1.一种兼容热致变发射率和频率选择散热的红外隐身超结构，其特征在于，包括设置于衬底上呈周期排列的若干电磁谐振单元，各电磁谐振单元均分别包括由下至上依次叠设的发射率调控层和介电层，以及周期排布于所述介电层之上的若干金属柱；所述发射率调控层是通过在叠设于所述衬底之上的金属层中嵌入相变材料制得；所述金属柱采用贵金属制成；所述介电层采用绝缘材料制成；所述相变材料能够根据隐身物体的温度改变该相变材料的物理性质；所述金属层采用贵金属制成；所述衬底采用能够对所述发射率调控层透射的能量进行吸收的材质制成。

2.根据权利要求1所述的红外隐身超结构，其特征在于，所述金属柱的横截面尺寸为1-2μm、高度为50-300nm、间距为3-5μm。

3.根据权利要求1所述的红外隐身超结构，其特征在于，制成所述介电层的绝缘材料包括硫化锌、聚酰亚胺和氮化硅。

4.根据权利要求1或3所述的红外隐身超结构，其特征在于，所述介电层的厚度为50-200nm。

5.根据权利要求1所述的红外隐身超结构，其特征在于，所述相变材料选用二氧化钒、氧化锌或掺锑二氧化锡。

6.根据权利要求1或5所述的红外隐身超结构，其特征在于，所述相变材料的宽度为10-20μm，所述相变材料的厚度不小于80nm、不大于200nm；所述金属层的宽度为15-25μm，厚度为120-200nm。

7.根据权利要求1所述的红外隐身超结构，其特征在于，制成所述衬底的材料选用SiO₂或Si₃N₄，所述衬底的厚度不低于50μm。