[发明专利]一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110625764.X | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113394023B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 罗劭娟;吴梓环;招家富;王林杰;邱全源;李泽宇;陆凤连;冯斯桐;欧金法;吴传德 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;C01B6/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 层状 异质结 ge geh 光电 阳极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种二维层状异质结Ge-GeH的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1. 将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧，冷却后得到混合物；锗单质与钙单质的质量比为1：（0.4~0.8）；
S2. 将S1得到的混合物与浓盐酸混合，真空条件下搅拌反应，洗涤，超声处理，所得即为二维层状异质结Ge-GeH；
所述冷却工艺为以1~3℃/min的速率降温至550~450℃，再以2~4℃/min的速率冷却至室温；
所述煅烧工艺为在真空条件下以3~5℃/min的速率升温至1000~1200℃，保温20~24h；
所述搅拌反应温度为-20~-40°C，时间为40~48h。
2.如权利要求1所述二维层状异质结Ge-GeH的制备方法，其特征在于，锗单质与钙单质的质量比为1：（0.4~0.6）。
3.一种二维层状异质结Ge-GeH，其特征在于，由权利要求1~2任一所述方法制备得到。
4.一种光电阳极材料，其特征在于，包括权利要求3所述二维层状异质结Ge-GeH。
5.如权利要求4所述光电阳极材料，其特征在于，还包括导电石墨粉或导电碳黑。
6.如权利要求5所述光电阳极材料，其特征在于，导电石墨粉或导电碳黑与二维层状异质结Ge-GeH的质量比为（1~9）：（1~9）。
7.如权利要求6所述光电阳极材料，其特征在于，导电石墨粉或导电碳黑与二维层状异质结Ge-GeH的质量比为（3~5）：（5~7）。
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