[发明专利]一种基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法

权利要求书

1.一种基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法，其特征为该方法包括如下步骤：

1)将碳纳米管水分散液喷涂到贴有掩模版的氧化硅片上，80～100℃下加热3～7min，得到电极形状的碳纳米管层；

其中，碳纳米管水分散液中碳纳米管的质量百分比为3.5～7.5％；碳纳米管层的厚度为20μm—200μm；

2)将步骤1)中的掩模版从氧化硅片上取下，再向氧化硅片上涂覆离子液体溶液，60～85℃下真空干燥2～5h，冷凝后形成第一离子胶层，将其揭下，翻转，得到上面分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底；

所述的离子液体溶液由PVDF-HFP、EMIM、丙酮混合、搅拌至澄清状态配置而成，质量比为PVDF-HFP：EMIM：丙酮＝1:3～5:6～9；其中，第一离子胶层的厚度为100μm～1cm；

3)通过静电纺丝方式，将P3HT前驱体溶液注射到上一步得到的离子胶衬底表面，得到的互相平行、均匀间隔分布的P3HT纳米线，并且P3HT纳米线横跨在电极之上，使之连接；

其中，P3HT前驱体溶液中，溶质为PEO和P3HT，质量比为PEO和P3HT＝3:5～8；溶剂为三氯乙烯和氯苯组成的混合溶剂；质量比为三氯乙烯：氯苯＝3:5.5～8；P3HT的质量分数范围为4％—5.5％；

4)将第二离子胶层贴在上一步中得到材料上，获得三端三维突触电子器件；

所述的第二离子胶层的材质同第一离子胶层，厚度范围50μm—1cm。

2.如权利要求1所述的基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法，其特征为步骤1)中所述的电极优选为源电极和漏电极。

3.如权利要求1所述的基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法，其特征为步骤3)所述的静电纺丝的参数为：静电纺丝的电压设置为3.2～3.7kV，进料速度设置为50～150nL/min，喷嘴到离子胶衬底的间距为3～5mm。

4.如权利要求1所述的基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法，其特征为步骤3)所述的纳米线的之间的间距为100μm—350μm。

5.如权利要求1所述的基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法，其特征为步骤4)中所述的第二离子胶的覆盖范围为电极之间一根P3HT纳米线～全部P3HT纳米线纳米线的区域。