[发明专利]一种背通孔增强散热的氮化镓材料结构及其制备方法在审
申请号: | 202110626720.9 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113555330A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 刘志宏;郝璐;张进成;刘俊伟;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背通孔 增强 散热 氮化 材料 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,自下而上依次包括衬底层(1),成核层(12),过渡层(13),缓冲层(2),沟道层(3),复合势垒层(4)以及位于所述复合势垒层(4)上的金属电极;其中,所述衬底层(1)背面至所述复合势垒层(4)上设有若干通孔;所述衬底层(1)背面、所述通孔的内壁以及底部均设有互联金属层(100);所述通孔内还淀积有高热导率材料(11)。
2.根据权利要求1所述的氮化镓材料结构,其特征在于,所述通孔为圆孔或方孔,且呈规则密集排列以实现器件源极互联。
3.根据权利要求2所述的背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,所述通孔的孔径大小为5~150μm。
4.根据权利要求1所述的背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,所述高热导率材料(11)包括氮化铝、金刚石、金属Cu、碳纳米管、石墨烯或相变材料,且部分或全部填充所述通孔。
5.根据权利要求1所述的背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,所述互联金属层(100)包括金属Ti/Au或金属Cu,且其厚度为100~10000nm。
6.根据权利要求1所述的背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,所述衬底层(1)的材料为硅或者碳化硅。
7.根据权利要求1所述的背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,所述缓冲层(2)包括氮化镓、铝镓氮或氮化铝,厚度为100~5000nm。
8.根据权利要求1所述的背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,所述沟道层(3)为氮化镓,厚度为10~1000nm。
9.根据权利要求1所述的背通孔增强散热的氮化镓材料结构,其特征在于,所述复合势垒层(4)包括隔离层(41)、核心势垒层(42)和帽层(43),其中,
所述隔离层(41),位于所述沟道层(3)的上表面;
所述核心势垒层(42),位于所述隔离层(41)的上表面;
所述帽层(43),位于所述核心势垒层(42)的上表面。
10.一种背通孔增强散热的氮化镓材料结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在衬底基片上依次外延生长成核层、过渡层、缓冲层、沟道层以及复合势垒层,以形成第一晶圆;
S2:采用键合工艺在所述第一晶圆上表面制作载片,以形成第二晶圆;
S3:对所述第二晶圆中的衬底背面进行磨片和抛光处理,形成第三晶圆;
S4:对所述第三晶圆进行刻蚀,以在所述第一晶圆上形成通孔,得到第四晶圆;
S5:在所述第四晶圆上溅射金属,以在所述衬底基片背面、所述通孔的内壁以及底部形成互联金属层;
S6:在所述通孔内淀积高热导率材料;
S7:去除步骤S2中的载片,以完成背通孔增强散热的氮化镓材料结构的制备。
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