[发明专利]一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构

权利要求书

1.一种太阳能电池的背面接触结构，其特征在于，包括：

间隔设置于硅衬底背面的凹槽；

交替设置的第一导电区和第二导电区，其中一者设于凹槽内，其中另一者设于凹槽外，所述第一导电区包括依次设置的第一电介质层和第一掺杂区域，所述第二导电区包括第二掺杂区域；

设置于所述第一导电区和所述第二导电区之间的第二电介质层，所述第二电介质层为至少一层；及

设置在所述第一导电区和所述第二导电区上的导电层。

2.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂区域为P型掺杂区域，所述第二掺杂区域为N型掺杂层；或

所述第一掺杂区域为N型掺杂区域，所述第二掺杂区域为P型掺杂层。

3.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一掺杂区域包括掺杂多晶硅或掺杂碳化硅或掺杂非晶硅。

4.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一电介质层为隧穿氧化层、本征碳化硅层、及本征非晶硅层中的一种或多种组合。

5.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第二电介质层为氧化铝层、氮化硅层、氮氧化硅层、本征碳化硅层、本征非晶硅层及氧化硅层中的一种或多种组合。

6.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第二电介质层覆盖在所述第一导电区与所述第二导电区之间的区域上、或延伸覆盖至所述第一导电区和/或所述第二导电区上。

7.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，位于所述第一导电区与所述第二导电区之间区域的硅衬底背面具有粗糙纹理结构。

8.如权利要求2所述的背面接触结构，其特征在于，所述P型掺杂区域的宽度为300-600um，或，所述N型掺杂区域的宽度为100-500um。

9.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，各个所述凹槽的深度为0.01-10um，所述第一导电区和所述第二导电区之间的水平距离为0-500um。

10.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一电介质层覆盖在所述第一掺杂区域上、或延伸覆盖在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的区域上。

11.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述凹槽为圆弧形、梯形、或方形。

12.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第二掺杂区域的结深为0.01-1um，方阻为10-500ohm/sqr，表面浓度为1E18-1E21 cm^-3。

13.如权利要求1所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一电介质层的厚度为1-20nm，所述第一导电区的总厚度大于20nm。

14.如权利要求3所述的背面接触结构，其特征在于，所述掺杂碳化硅包括掺杂氢化碳化硅。

15.如权利要求4所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一电介质层为隧穿氧化层和本征碳化硅层。

16.如权利要求4或15所述的背面接触结构，其特征在于，所述隧穿氧化层由氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层组成。

17.如权利要求4或15所述的背面接触结构，其特征在于，所述第一电介质层中的本征碳化硅层包括本征氢化碳化硅层。