[发明专利]一种具有垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构在审
| 申请号： | 202110627327.1 | 申请日： | 2021-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN113488540A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋佳烨;胡冬青;李婷;王正江;周新田;贾云鹏;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 保护 sic 基槽栅 mosfet 结构 | ||
【权利要求书】：
1.具有垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构，其特征在于：
自下而上依次为漏极金属化电极层，N+碳化硅衬底层，第一层碳化硅外延层，邻接外延层是具有深槽群和槽栅MOS结构的第二层碳化硅外延层；槽栅MOS由栅槽网络、P型碳化硅体区、N+碳化硅源区和背栅短路区组成；所述深槽群与栅槽网络同轴，且栅槽网络包围深槽群；所述深槽外边-栅槽内边间距均匀相等，且控制在1-3微米之间；所述深槽比栅槽深2-10微米，深槽通过热氧化和化学气相沉积，形成厚度为0.2微米至1微米的二氧化硅介质层；所述深槽在形成二氧化硅介质层后，掺杂多晶硅，掺杂多晶与源电极相连，形成垂直场板；所述外延层分两层，第一层外延层的掺杂浓度和厚度与阻断电压有关，对于1200V的耐压要求掺杂浓度在1-2×1016cm-3范围内，厚度在8-10微米范围内，第二层外延层的掺杂浓度控制在1-5×1016cm-3范围，厚度与深槽深度相同；第一层外延层和第二层外延层的总厚度为15-17微米。
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