[发明专利]一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

P型硅片抛光及生长氧化硅层；

硅片背面沉积非晶硅层：采用LPCVD或PECVD在硅片背面沉积n+非晶硅层；

硅片背面沉积掩膜；

硅片背面局部激光消融：将硅片背面进行局部激光消融以露出硅片背面；

制绒：对硅片正面及背面的激光消融区进行制绒，同时去除硅片背面的掩膜及硅片正面的氧化硅层；

退火：利用退火炉对硅片进行高温晶化，然后降温并通入氧气，以使n+非晶硅层转换为n+多晶硅层，并在n+多晶硅层表面生长氧化硅钝化膜；

硅片正面沉积减反膜、正面钝化膜；

硅片背面沉积背面钝化膜；

激光开槽：在硅片背面的激光消融区进行激光开槽；

正、负电极印刷烧结：在硅片激光消融区的开槽区域使用铝浆料印刷正电极，在硅片背面非激光消融区使用银浆料印刷负电极，并烧结烘干得到太阳能电池成品。

2.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P型硅片抛光及生长氧化硅层步骤具体包括：

使用碱性溶液将硅片进行抛光，抛光完成后将硅片放置在水中或微酸性溶液中，并向水中或微酸性溶液中通入臭氧，以在硅片表面生长氧化硅层。

3.根据权利要求2所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为1.5～15％，所述硅片抛光后的表面反射率控制在38％～45％；所述臭氧的处理时间控制在1～40min。

4.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述硅片背面沉积非晶硅层步骤中，所述n+非晶硅层的厚度为50～350nm。

5.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述硅片背面沉积掩膜步骤中，通过PECVD沉积所述掩膜；所述掩膜为氧化硅掩膜，且所述掩膜厚度控制在80-200nm。

6.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片背面局部激光消融步骤中，所述激光消融的宽度为200-500nm，且激光能量控制在10-40W。

7.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制绒步骤中，使用碱性溶液对硅片进行制绒，并通过酸性溶液去除硅片背面的掩膜及硅片正面的氧化硅层，以使硅片减重控制在0.2g～0.5g，硅片表面反射率控制在8％-12％。

8.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述退火步骤中，所述高温晶化的温度控制在500-1000℃。

9.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述正面钝化膜的厚度控制在80-150nm；所述背面钝化膜的厚度控制在60-150nm，所述背面钝化膜的折射率控制在2-2.5。

10.根据权利要求1所述的一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光开槽的宽度为28-45um；所述烧结温度为300-900℃。