[发明专利]基于LDO进行电器指纹提取的物联网安全隐患监测方法在审
申请号: | 202110627774.7 | 申请日: | 2021-06-05 |
公开(公告)号: | CN113342107A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 张珊珊 | 申请(专利权)人: | 上海梦象智能科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 201206 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 ldo 进行 电器 指纹 提取 联网 安全隐患 监测 方法 | ||
1.一种基于LDO进行电器指纹提取的物联网安全隐患监测方法,其特征在于,利用物联网设备中的数字LDO电路中导通功率晶体管数量以及输入电压之间存在的关系,通过监测数字LDO电路中控制功率的MOSFET阵列数字信号以及LDO输入电压,计算设备运行状态下的电器指纹,通过判断电器指纹是否发生变化从而确定当前设备是否存在异常行为,达到监测物联网安全隐患的目的;具体步骤如下:
步骤1:获取数字型LDO电路进行控制的功率晶体管数目;
步骤2:获取LDO输入电压;
步骤3:计算设备运行状态下的电器指纹;
步骤4:根据电器指纹,对设备的运行状态进行判断;
步骤5:监测设备运行状态,若出现异常的变化,则告警并退出,否则,则返回步骤1,进行下一时钟内的监测行为。
2.根据权利要求1所述的物联网安全隐患监测方法,其特征在于,步骤1中所述获取数字型LDO电路进行控制的功率晶体管数目,具体过程如下:
利用LDO电路负载与控制LDO输入电压的POMS设备阵列负载之间的关系,得到LDO中的功率MOSFET阵列的电路控制信号数据,即导通的功率晶体管数目;其中:
(1)数字型LDO电路主要组成部分为:
(a)功率晶体管阵列,依据基准电压Vref通过导通不同数目的晶体管来控制LDO的输出电压,当输出电压VoutVref时导通更多的晶体管来提高输出电压Vout,反之VoutVref时关闭部分晶体管来降低输出电压Vout;
(b)数字控制逻辑模块,主要采用Z域变换来进行建模,Z变换为采样拉普拉斯变换,是信号的复频域表示方法,此模块的作用是用来控制功率晶体管阵列;
(c)CLK,表示时钟信号,是数字电路里面变化的高低电压,用来为电路提供参考时钟;
(d)误差放大器EA,用来比较输出电压Vout与基准电压Vref之间的大小关系,并输出比较结果到数字控制逻辑模块;
(2)功率POMS设备阵列算作是数字型LDO电路的一部分,在电路的输入端与功率晶体管阵列相连,引导输入电压Vin进入LDO电路,连接的功率晶体管拥有着相同的尺寸,并且控制功率晶体管的数字信号都采用相同的温度计编码格式;
(3)LDO电路进行控制的功率晶体管数目:
设Iload为LDO电路的负载值,IMOS为功率POMS设备阵列的负载值,功率POMS设备阵列引导Vin进入LDO,经过功率晶体管阵列控制使Vout=Vref,而Vout与LDO电路的负载相关,故LDO电路的控制信号的温度计编码值等于导通的晶体管数目N为:
N=Iload/IMOS。
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