[发明专利]基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，用于制作CIS封装体，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供覆铜板（1），并对覆铜板（1）表面进行刻蚀和粗化处理，在覆铜板（1）两侧表面设置介质薄膜层（2）；

S2、根据图形需求，在所述覆铜板（1）上制作穿塑通孔（3），并在穿塑通孔（3）中填充导电材料以及在两介质薄膜层（2）外表面上制作重布线层（4）使两个重布线层（4）连接；

S3、在一介质薄膜层（2）顶面设置围坝（5），以及在该介质薄膜层（2）上的重布线层（4）上固定芯片（6），并使所述围坝（5）高度高于芯片（6）高度；

S4、对另一介质薄膜层（2）上的重布线层（4）进行植球回流处理；

S5、将围坝（5）对正插入光学系统构件（7）上的沟槽（8），并通过涂胶将光学系统构件（7）固定。

2.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，围坝（5）高度为芯片（6）高度的1.5-2.5倍。

3.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔（3）的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S1包括以下子步骤：

S11、清洗覆铜板（1）；

S12、对覆铜板（1）覆铜一侧进行化学腐蚀处理，获取线路结构；

S13、对覆铜板（1）另一侧进行等离子刻蚀或机械粗化处理。

4.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述围坝（5）设于覆铜板（1）进行粗化处理一侧的介质薄膜层（2）上。

5.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔（3）的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，所述芯片（6）通过锡膏、纳米银浆以及自对准进行贴片固定在重布线层（4）上。

6.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S5中，将围坝（5）对正插入光学系统构件（7）上的沟槽（8）前，对沟槽（8）内侧和围坝（5）表面进行涂胶处理。

7.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述围坝（5）设置于所述介质薄膜层（2）的重布线层（4）线路未覆盖的区域上。

8.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述芯片（6）外侧对应有至少两个围坝（5）。

9.根据权利要求1所述的一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述围坝（5）为柱状体或板状体或锥状体。

10.一种基于穿塑通孔的CIS板级扇出型封装结构，其特征在于，包括：

覆铜板（1），其上设有若干穿塑通孔（3）；

介质薄膜层（2），覆盖于覆铜板（1）上下表面；

重布线层（4），设于介质薄膜层（2）外表面；

导电柱（9），填充于所述覆铜板（1）的穿塑通孔（3）中，用于连接覆铜板（1）上线路和重布线层（4）上线路；

芯片（6），固定在背离于所述覆铜板（1）覆铜侧的所述重布线层（4）上；

围坝（5），固定在所述介质薄膜层（2）上，并位于所述芯片（6）外侧，且其高度高于所述芯片（6）高度；

光学系统构件（7），设于所述芯片（6）上方，且其底部具有与围坝（5）配合且固定连接的沟槽（8）；

焊球（10），设于远离输送芯片（6）的重布线层（4）上，用于封装结构的接线使用。